Расчет и конструирование средств электроизмерительной техники/ ВНИИЭП. -Л., 1976, с. 127-136.

3.15. Отображение графической информации с помощью индикатора на жидких кристаллах. - Электроника, 1973, № 24, с. 13-14.

3.16. Разработка ЗЛТ с жидкокристаллическим экраном. - Электроника, 1973, № 14, с. 18-19.

3.17. Жидкий кристалл как световой клапан. - Электроника, 1970, № 23, с. 37.

3.18. Anderson К. Projecting Images with Liquid Crystals. - Bell Lab. Record., 1974, № 2, p. 223-229.

3.19. Kallard T. Liquid Crystals and their apphcations. - New York: Published by Optosonic Press., 1970, v. 1.

3.20. Kallard T. Liquid Crystals and their applications. - New York: Published by Optosonic Press, 1974, v. 2.

3.21. Kubo S. Microencapsulation. Processen and applications. - New York, London: Plenum Press., 1974, p. 81

3.22. Сергеев В. Б., Грошев А. А. К вопросу о построении индикаторных устройств для некоторых радиотехнических систем с применением жидких кристаллов. - Сб. докладов I научной конференции по жидким кристаллам, Иваново, 1970. - Иваново, 1972, с. 260-265.

3.23. Левертова Ф. В., Сиренко О. С. Индикаторы на жидких кристаллах. - Обзоры по электронной технике. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы/ ЦНИИ Электроника. - М., 1975, вып. 3 (190), 64 с.

3.24. Ohtsuka Tetsuro, Tsukamoto Masahide, Tsuchiya Mitsuharu. Liquid crystals matrix display. - Jap. J. Appl. Phys., 1973, v. 12, № 3, p. 371-378.

3.25. Пат. 3864022 (США).

3.26. Пат. 2258683 (Франция).

3.27. Пат. 3806227 (США).

3.28. Пат. 3881807 (США).

3.29. Пат. 2156573 (Франция). 3 30. Пат. 3748018 (США).

3.31. Gooch С. Н., Tarry Н. А. -Electron. Lett., 1974, v. 10, p. 2.

3.32. Schiekel M. F., Fahrenschon K. -Appl. Phys. Lett., 1971, v. 19, № 10, p. 391.

3.33. Dir C, Adams J., Hass W., Stephany J. - SID-Journal, 1974, V. 11, № 5, p. 14.

3.34. Sceffer T. J. -,T. Appl. Phvs., 1973, v. 44, № 11, p. 4799.

3.35. Brown G. H., Doane J. W. -Appl. Phys., 1974, v. 4, № !, p. 1.

3.36. Kahn E. J. -Appl. Phvs. Lett., 1972, v. 20, № 5, p. 199.

3.37. Goodman L. A. -J. Vac. Sci. Technol., 1973, v. 10, № 5, p. 804.

3 38. Creagh L. Т. -Proc. IEEE, 1973, v. 61, № 7, p. 814.

3.39. Hareng M., AssoHne G., Leiba E. - Appl. Optics., 1972, v. 11, № 12, p. 2920.

3.40. Assoline G., Hareng M., Leiba E. -Electron. Lett., 1971, v. 7, № 23, p. 699.

3.41. Chang T. S., Loebner E. E. -Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, № 1, p. 1.

3.42. Stephen M. J., Straley J. P. -Rev. Mod. Phys., 1974, v. 46, № 4, p. 617.

3.43. Вак С. S., Ко К. Labes М. М.-J. Appl. Phys., 1975, v. 46, № 1, p. 5097.

3.44. Raynes E. P., Shanks I. A. -Electron. Lett., 1974, v. 10, № 7, p. 114.

3.45. Voinov M. -J Electrochem. Soc, 1973, v. 120, № 7, p. 922.

3.46. Clary R. - IEEE Intercon. Papers Marketing, 1973, v. 7, № 43,

4.1. Гетра 3. Ю., Дзисяк Э. П., Пархоменко В. В., Смеркло Л. М. Технология индикаторных устройств на жидких кристаллах для приборостроения. - Обзорная информация. Сер. ТС-9. Экономика и технология приборостроения/ ЦНИИТЭИ приборостроения.- М., 1976, 52 с.

4.2. Готра 3. Ю., Матвийкив М. Д., Дмитренко Е. И. - Информационный листок/ ВИМИ, № 73-0527.

4.3. Пат. 2323250 (ФРГ).

4.4. Гальперин Б. Ф. Непроволочные резисторы. - Л.: Энергия, 1968.

4.5. Готра 3. Ю., Смеркло Л. М., Пархоменко В. В. Влияние некоторых параметров на структуру пленок ЗпОг. - Обмен опытом в радиопромышленности, 1976, № 2, с. 39-40.

4.6. Вистинь Л. К., Готра 3. Ю., Смеркло Л. М., Тымчишин М. В. Технологические особенности изготовления электропроводяших прозрачных пленок для жидкокристаллических индикаторов. - В кн.: Жидкие кристаллы. - Иваново, 1976, с. 135-140.

4.7. Вайефельд Н. М., Соколина В. А., Фиалковская Р. П. Электронно-микроскопическое исследование структуры пленок JnjOs. - Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1969, т. 5, № 12, с. 2095-2098.

4.8. Воробьева О. В., Полуротова П. Ф. Получение электропроводящих пленок JnOs на стекле из органических соединений.- Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1971, т. 7, № 2, с. 266-269.

4.9. Крыжановский Б. П., Орел Е. Н. Электропроводящие покрытия двуокиси олова, полученные вакуумным испарением. - Оптико-мех. пром., 1974, № 10, с. 53-56.

4.10. Галкин Б. Д., Гольдберг Е. Я., Иванов Р. Д. и др. Свойства пленок 1П2О3, полученных реактивным катодным распылением.- Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1974, вып. 2, с. 66-70.

4.11. Eraser D. В., Cook Н. D. -J. Electrochem. Soc, 1972, v. 119, № 10, p. 1368-1374.

4.12. Верцимала Я. И., Жолкевич Г. А. Прозрачные омические контакты к фотопроводникам А2В<!. -ПТЭ, 1972, № I, с. 207-208.

4.13. Вайнштейн В. М., Герасимова Л. Г., Николаева И. Н. Исследование процессов образования пленок InjOs при реактивном катодном распылении. - Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1968, т. 4, № 3, с. 357-360.

4.14. Свечников С. В., Тхорик Ю. Г., Письменный. - Украинский физический журнал, 1966, № II, с. 40.

4.15. Гольцман Б. М., Синенко С. Ф. Метод определения толщины пленок, нанесенных на прозрачную подложку. - ПТЭ, 1972, № 1, с. 73-75.

4.16. Пресс Ф. П. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов. - М.: Энергия, 1968.

4.17. Фотолитография и оптика/ Под ред. Я- А. Федотова и Г. Поля.- М.: Сов. радио, Берлин: Техника, 1974. - 392 с.

4.18. Введение в фотолитографию/ Под ред. В. П. Лаврищева.- М.: Энергия, 1977.

4.19. Демин В. В., Гореликов Н. И., Гетра 3. Ю. Пленочные микросхемы и миниатюризация. - Львов: Каменяр, 1972. - 88 с.

4.20. Демин В. В., Гетра 3. Ю., Матвийкив М. Д. Прогрессивные методы производства микросхем. - Львов: Каменяр, 1973.- 80 с.

4.21. А. с. 424060 (СССР). - Опубл. в БИ, 1974, JVb 14.

4.22. Левшук Л. А. Способ удаления полупроводящего покрытия на основе окислов олова.- Труды Томского ин-та радиоэлектроники и электронной техники, 1972, т. 7, с. 37-41.

4.23. Мушкарден Э. М., Гетра 3. Ю., Пархеменке В. В. Фотолитография электропроводящих прозрачных пленок SnOs. - Доклады и научные сообщения/ Львовский политехнический институт. - Львов: Вища школа, 1974, вып. 3, с. 92-94.

4.24. Berreman D. W. -Phys. Rev. Lett., 1972, v. 28, p, 1683.

4.25. Пат. 3694053 (США).

4.26. Kahn E. J. -Appl Phys. Lett., 1973, v. 22, № 8, p. 386.

4.27. Пат. 3749474 (США).

4.28. Пат. 3864021 (США).

4.29. Пат. 2196199 (Франция).

4.30. Пат. 3787110 (США).

4.31. Пат. 3885860 (США).

4.32. Пат. 2206981 (Франция).

4.33. Пат. 2192735 (Франция).

4.34. Zecher Н., Серег К. -Z. Phys. Chem., 1928, v. 132, p. 295.

4.35. Chatelaine P. -Bull. Soc. Fr. Mineral. Cristallogr., 1943, v. 66, p. 105.

4.36. Пат. 1385294 (Англия).

4.37. Пат. 3843233 (США).

4.38. Пат. 3656834 (США).

4.39. Пат. 3871904 (США.

4.40. Пат. 3843230 (США).

4.41. Пат. 3656834 (СШ,А).

4.42. Пат. 3848966 (США).

4.43. Пат. 2193207 (Франция).

4.44. Пат. 2175180 (Франция).

4.45. Кан, Тейлер, Шенхерн. Методы ориентации жидких кристаллов поверхностью подложки. - ТИИЭР, 1973, т. 61, с. 28-35.

4.46. Zisman W. А.~ Ind. Eng. Chem., 1969, v. 8, p. 98.

4.47. Kahn F. J. - Appl. Phys. Lett, 1973, v. 22, p. 111.

4.48. Zisman W. A.-Advan. Chem., 1964, v. 43, p. 1.

4.49. Proust J. E. -Solid State Commun., 1972, v. 11, p. 1227.

4.50. Janning J. L. -Appl. Phys. Lett., 1972, v. 21, p. 173.

4.51. Пат. 2179841 (Франция).

4.52. Гетра 3. Ю., Пархоменко В. В., Смеркло Л. М., Яверский Б. Н.

Гомогенная ориентация жидких кристаллов для устройств отображения. - Приборы и системы управления, 1975, № 12, с. 49-50.

4.53. Пат. 3853391 (США).

4.54. Пат. 2233644 (Франция).

4.55. Пат. 2154779 (Франция).

4.56. Пат. 1337551 (Англия).