ляющие размещать индикаторы под удобным для восприятия углом наклона ЖКИ.

Монтаж с помощью плоского кабеля обходится де-щевле, чем в случае обычного кабеля, поскольку конструктивное расположение проводников в плоскости дает возможность проводить их монтаж последовательно или групповыми методами.

В основу изготовления гребенчатых выводов положены технологические операции фотолитографии, аналогичные операциям при изготовлении свободных металлических масок. Для производства используется металлическая лента толщиной 0,1...0,2 мм, например берил-лиевая бронза. Технологический процесс получения гребенчатых плоских выводов состоит из следующих операций: изготовление заготовок; очистка поверхности заготовок, термическая обработка заготовок; подготовка поверхности заготовок к нанесению фоторезиста, нанесение фоторезиста, экспонирование; проявление изображения; химическое травление бериллиевой бронзы; удаление фоторезиста, никелирование или серебрение.

Очистка поверхности заготовки заключается в обезжиривании в четыреххлористом углероде, механической зачистке .с обеих сторон микропорощком, промывке и сущке. Термическая обработка заготовок проводится при температуре 600...750°С в течение 3 ч. Перед нанесением фоторезиста с заготовок снимают окалину, поверхность протравливают в хлорном железе, зачищают микропорощком М14, промывают и сушат. Затем наносят фоторезист на обе стороны заготовок и проводится сушка. Экспонирование проводится на одну из сторон заготовки через фотошаблон, имеющий рисунок гребня. После проявления фоторезист остается в местах будущих выводов и проводится травление.

Для травления бериллиевой бронзы используют травитель состава: аммоний сернокислый - 300 г, кислота серная - 27,5 мл, дистиллированная вода - 1000 мл. Травление проводится до сквозного удаления бериллиевой бронзы в местах не защищенных фоторезистом. Затем с обратной стороны бронзы удаляется фоторезист, заготовки промываются в воде и просушиваются. Для защиты проводников от окисления их гальванически никелируют или серебрят. Места контактирования выводов покрываются тонким слоем припоя. Процесс монтажа осуществляют микропаяльником, а для

механической прочности соединения места контактирования заливают эпоксидным компаундом.

Для изготовления гибкого контактирующего шлейфа используют также фольгированный стеклотекстолит марки ФДМЭ-1 с толщиной медного покрытия 0,35 мкм и с двумя слоями стеклоткани. В этом случае конфигурация проводников шлейфа создается также методом фотолитографии. Для защиты проводников от окисления проводится лужение слоем олова толщиной 3-4 мкм. Схема контакта изображена на рис. 4.14. При контактировании приварку шлейфа осуществляют через стеклотекстолит, например посредством совмещенной ультразвуковой сварки с косвенным нагревом [4.69-4.71].

Конструктивно однослойный гибкий кабель состоит из диэлектрического базового слоя, пленочных проводников из медной фольги и защитного покрытия. Защитное покрытие предохраняет

пленочные медные проводники от стирания, повреждений и случайных коротких замыканий. Многослойные гибкие кабели получают при стыковке однослойных кабелей. Технологический цикл изготовления состоит из получения определенной конфигурации пленочных проводников на фольгированном гибком диэлектрике.

Рис. 4.14, Схема контакта гибкого шлейфа на стеклянной подложке:

/ - стеклоткань; 2 - медь; 3 - олово; 4 - олово-висмут; 5- медь гальваническая; 6- медь; 7 - ванадий; S - стеклянная подложка

ГЛАВА 5

ПРИМЕНЕНИЕ ХОЛЕСТЕРИЧЕСКИХ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СРЕДСТВ ИНДИКАЦИИ

5.1. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ШАГ СПИРАЛИ В ХОЛЕСТЕРИЧЕСКИХ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛАХ

При внешних воздействиях (температура, электрическое или магнитное поля, механическое воздействие) периодичность структуры холестерического жидкого кристалла (ХЖК) изменяется, что-приводит к изменению оптических свойств ХЖК [5.1 - 5.4]. Изменение пери-

одичности структуры характеризуется шагом спирали. Шаг спирали изменяется в зависимости от внешнего воздействия [5.5].

Рассмотрим изменение структуры ХЖК от температуры. Для наиболее известных представителей ХЖК производных холестерина с повышением температуры шаг монотонно уменьшается

Существует несколько теорий, объясняющих зависимость шага спирали ХЖК от температуры. Фергасон [5.6] эту зависимость объясняет с помощью простой физической модели. Так как угол закручивания между соседними плоскостями холестерической спирали зависит от температуры, то шаг, зависящий от него, также изменяется с изменением температуры: P=(d/\lj) 180°С, где d - расстояние между соседними плоскостями, ф - угол закручивания одной плоскости относительно другой. Однако такое объяснение не всегда точно для температурной области перехода ХЖК СМЖК." Температурную зависимость шага для веществ, имеющих смектическую фазу, де Жен объясняет существованием предпереходной области вблизи точки перехода холестерик - смектикЛ. При понижении температуры Т возникают смектические кластеры, которые приводят к раскручиванию спирали [5.7]. Температурная зависимость шага имеет вид Р(Т-ТсУ, где Тс - температура перехода ХЖК СМЖК; Т - температура, при которой отражается свет, длина волны которой Л..

Соотношение между длиной волны рассеянного света и число.м смектических кластеров Kn, образующихся в веществе из Л молекул в области перехода ХЖК СМЖК, определяется:

КмПе ехр [Kn (7-7с) /кТс].

При температурах выше предпереходной области шаг холестерической базы увеличивается почти линейно, исключая область изотропного перехода. Известно [5.8]. соотношение Pl/T, выражающее обратную зависимость шага от температуры. При соответствующем подборе констант, входящих в выражение для шага можно достичь сходимости теоретических и экспериментальных результатов как в области температур ХЖК СМЖК, так и вне ее.