Ёбспройзводящее распределение освещенности йа поверхности фотопроводника. Это распределение сохраняется после выключения постоянного напряжения и может храниться несколько дней, если экспонирование длилось 0,1 ... 1 с. Для считывания используется свет с Я>520 нм (т. е. за красной границей фотопроводника). Контраст составляет 5:1, разрешение 50 линий/мм. Стирание выполняется за 1 с.

Известно [3.21] также запоминающее устройство, в котором используется изменение наклона осей молекул в смектической С-фазе, индицируемое электрическим полем мощной световой волны. Если у такой смек-

П Считыдтщий effem

СВетодая Волна

Стирающий свет

Рис. 3.28. Запоминающее устройство на основе переориентации молекул смектического ЖК фазы С

тической фазы С ЖК наклон равен 45°, то слой его, помещенный в зазор между двумя равнобедренными прямоугольными призмами, сможет находиться в одной из двух ориентации, помеченных на рис. 3.28 через / и 2. Свет, проходящий через такую систему, размещенную между скрещенными поляризатором 2 и анализатором Л, будет полностью ею задерживаться, если она находится в состоянии 2 и частично проходить в состоянии /. Если за исходное состояние выбрать /, то мощная поляризованная световая волна, распространяющаяся вдоль осей молекул (рис. 3.28, вертикально), своим электрическим полем, направленным перпендикулярно осям молекул (рис. 3.28, горизонтально), вызовет пере-оринетацию молекул в состояние 2. Зафиксированная таким образом информация может храниться сколь угодно долго. Считывание ее должно осуществляться более слабым светом, распространяющимся горизонтально, а для стирания можно использовать мощный свет, также распространяющийся горизонтально.

Исследованы также возможности использования кристаллов с двумя устойчивыми состояниями в качестве

устройств накопления й Считывания информации, которые можно было- бы использовать в вычислительной технике для создания ЗУ с повышенной плотностью записи.

Матричные индикаторы. В матричных индикаторах тонкий слой нематического ЖК размещается между двумя стеклянными пластинами с электродами из параллельных проводников на их поверхности. Пластины устанавливаются так, чтобы электроды создавали X-Y матрицу пересечений !(рис. 3.29,с).

При приложении к соответствующим парам электрот дов напряжения U в точке пересечения проводников ЖК возбуждается.

Рис. 3.29. Конструкция (a) и электрическая схема (б) экрана матричного индикатора:

1 - ЖК; 2 - прозрачные электроды; 3 - стекло

Наряду С ЭТИМ на многих других элементах растра появляется напряжение f 2 вследствие паразитных токов, которые (рис. 3.29,6) могут проходить в области X и У за счет гальванической связи, например, по пути abcdef. При возбуждении индикаторного экрана короткими импульсами (60 мкс) необходимо принимать во внимание, наряду с гальванической связью матричных точек, также емкостную связь. Если активный слой между матричными проводниками состоит только из нематического ЖК, то рядом с элементом пересечения пары проводников X и Y при U находятся соседние элементы пересечения этих проводников, при С 2 вызывается слабое состояние динамического рассеяния [3.22].

Анализ эквивалентной электрической схемы матричного экрана с ЖК без фиксации напряжения показывает, что элементы, образующие эффект креста, находятся под половиной приложенного напряжения, т. е. £/кр=

1/217прил. В матричной панели с фиксацией напряжения на всех шинах это соотношение имеет вид <7кр= =/з1прил. Если использовать свойства некоторых ЖК, заключающееся в том, что эти кристаллы имеют резко выраженный порог возбуждения динамического рассеяния, при котором соблюдается соотношение (7кр<С/п, то, очевидно, можно изготовить простейший матричный экран без паразитного эффекта «креста». Примером жидкокристаллического вещества, пригодного для построения матриц без фиксации напряжения, может слу-

17/2

Рис. 3.30. Петля гистерезиса сегнетоэлектрической керамики при напряжениях U (1) и и/2 (2)

Рис. 3.31. Диодная характеристика экрана с двойным слоем

ЖИТЬ этоксифенилазофенил-гептоноат, пороговое напряжение которого составляет 5,5 В и напряжение максимального контраста порядка 10 В.

Четкое изображение на экранах получается при высоком пороге срабатывания по напряжению, который можно достичь, если последовательно со слоем ЖК включить слой сегнетоэлектрической керамики. В этом случае сегнетоэлектрический слой служит для переменного напряжения емкостью, значение которой меняется в зависимости от приложенного напряжения. Например, при напряжении U образуется большая петля гистерезиса, а при и 12-малая (рис. 3.30). При этом наклон штрихов линии, как известно, пропорционален эффективной диэлектрической проницаемости, а также емкости слоя сегнетоэлектрика. У сегнетоэлектриков с достаточной прямоугольностью петли гистерезиса емкость ниже области насыщения очень сильно изменяется в зависимости от приложенного напряжения. Двойной слой.