этого, на форму доменной структуры могут влиять толщина слоя нематического вещества, взаимное расположение электродов и образца, а также тип ЖК, напряженность, форма и частота электрического поля, внешние механические и магнитные поля.

Рассмотрим влияние толщины слоя и магнитного поля. В слоях толщиной hclO мкм и менее при f/n-5 ...

Рис. 2.8. Домены двух типов. Стрелка показывает ориентацию длинных молекулярных осей:

с -домены в образце толщиной ft-=17 мкм (домены первого типа), фотография получена в естественном свете; б - домены в образце толщиной ft= "10 мкм (домены второго типа), фотография получена в монохроматическом свете. В первом .случае домены перпендикулярны первоначальной молекулярной ориентации, во втором - параллельны

... 7 В возникает доменная структура в виде полос с расположением полос параллельно первоначальной ориентации директора L. В отличие от доменов первого типа будем называть их доменами второго типа [2.22] (рис. 2.8).

В области толщины слоя /i~10 мкм .наблюдается переходная картина. Сначала при пороговом напряжении возникает обычная доменная картина первого типа, затем при увеличении напряжения происходит перестройка доменной структуры (10 ... 15 В) и далее при f/=17 В появляется доменная структура второго типа с располо-

жёнйём Полос йараллельно длинным осям молекул. На рис. 2.9 !Б верхней части показана доменная структура первого типа, в нижней - доменная структура второго типа.

В [2.22, 2.23] описан новый тип доменов, который образуется в слоях нематического ЖК толщиной 12 мкм, в постоянных и низкочастотных переменных электрических полях. Затем такие же домены были описаны в [2.24].

Рис. 2.9. Доменная структура в смеси н-азоксианизола с н-азокси-фенетолом при h=\3 мкм и .„=20 В

Как было показано выше, в нематических веществах с отрицательной диэлектрической анизотропией при наложении внешнего электрического поля возникает следующая ситуация: при достижении напряжения" 6 ... 8 В образуется доменная структура, затем в области напряжений 12 ... 17 В возникают «вихревые ячейки», после чего наступает следующий порог напряжений 17 ... 22 В, где появляется эффект динамического рассеяния света (ДРС). При постоянном электрическом поле ДРС наблюдается вплоть до электрического пробоя слоя ЖК. Предварительно возникающие домены при C/ni полосами располагаются перпендикулярно длинным осям молекул ЖК и соответственно направлению ориентации (см. рис. 2.8).

Доменная структура второго типа при повышении напряжения на образце вплоть до пробивных его значений не сменяется «вихревыми ячейками», отсутствует и ди-

Намическбё рассеяние. В этом сЛучаё наблюдается уменьшение ширины доменов и увеличение их числа пропорционально росту приложеиного напряжения U (рис. 2.10).

Домены второго типа сохраняют некоторые свойства доменов первого типа. Пороговое напряжение не зависит от толщины слоя и равно примерно 7 В. Ширина доменов пропорциональна толщине слоя ЖК h. Однако они обладают и новыми свойствами: ширина доменов d обратно пропорциональна величине приложенного напряжения

где а - коэффициент пропорциональности. Эта зависимость сказывается на времени возникновения ti и времени исчезновения /2 домен-с./ул/у ной структуры второго типа

после включения или выключения управляющего электрического поля. Время исчезновения, появления доменов дополнительно начинает зависеть от подаваемого на-

ff 80 1Z0 160 и,в пряжения. Существуют эти Рис. 2.10. Зависимость шири- Домены в чистых жидких ны доменов второго типа от кристаллах с сопротивлени-напряжения ем i?10" Ом-см и с ди-

электрической анизотропией Аб<0,05.

Изучено влияние магнитного поля на доменную структуру первого типа в нематических ЖК с отрицательной диэлектрической анизотропией [2.2, 2.8]. Вектор напряженности магнитного поля Н располагался параллельно вектору напряженности электрического поля Е. При Я=58-10 А/м ширина доменов уменьшается, что связано с поворотом длинных осей молекул вдоль линий поля. Образуются ленты, приходящие в своеобразное движение. Домены приобретают форму петель (см. рис. 2.7). Прозрачность слоя мезофазы для проходящего света резко изменяется в направлении вектора Н. В магнитном поле напряженностью 48-10* А/м петлеобразные домены полностью исчезают. Слой ЖК становится гомогенным. Винтовая структура доменов (рис. 2.11) возникает при Я=:312-10з А/м, f/=16 В и /=40 Гц.