Главная  Конденсаторы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [ 22 ] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29]

Таблица 15

Тип конденсатора

Номинальное напряжение, В

Номинальная емкость, мкФ

Допускаемое отклонение, % Ряд емкостей

Размер, мм

D (Н)

80; 1000

±10; ±20; ±30;

13,5; 24

50; 400

4-50 -20

13,5; 24

10; 12

30; 300

13,5; 24

10; 12

20; 200

13,5; 24

10; 12 ,

15; 150

13,5; 24

10; 12

10; 100

13,5; 24

10; 12

5; 50

16,6; 26,6

31; 35

3; 30

16,6; 2б;б

43; 47

26,6

16,6

26,6

. 10

26,6

К52-1

22-100

±10; ±20; ±30;

3-4,6

-17,5

15-470

+ 50 -ь -20

3-7,5

10-220

3-7,5

6,8-150

3-7,5

4,7-100

3-7,5

3,3-68

3-7,5

2,2-47

3-7,5

1,5-33

3-7,5

11-24

К52-2

80; 1000

13,5; 24

50; 400

±10; ±20; ±30;

13,5; 24

30; 300

+ 50-4- -20

13,5; 24

20; 200

13,5; 24

15; 160

13,5; 24

10; 1100

13,5; 24

К52-5

33; 330

±10; ±20; ±30;

13,5; 24

22; 220

+ 50 -ь -20

13,5; 24

15; il50

13,5; 24

10; 100

13,5; 24

6,8; 68

13,5; 24

3,3; 33

17; 27

34; 36

2,2; 22

17; 27

42; 45

на более высоких частотах, чем оксидноэлектролитические и объемнопористы,в конденсаторы.

I По своим температурно-частотным характеристикам при малых емкостях g Jno значению тангенса угла потерь эти конденсаторы приближаются к пленочным с полярным диэлектриком, отличаясь от иих значительно лучшими удельными Характеристиками и возможностью изготовления с малыми значениями номинального напряжения, что позволяет применять их в полупроводниковой радио* аппаратуре.

Конструктивно конденсаторы выпускают в цилиндрических (рис. 24,aJ я Прямоугольных (рис. 24,6) корпусах.

В табл. 16 приведены основные характеристики оксиднополупроводниковых Конден<атпров. .Дополнительные справочные сведения даны в табл. ПЗ-ПП ~«Риложения.



Таблица 16

Номинальное напряжение, В

Номинальная емкость, мкФ

Допускаемое отклонение, % Ряд емкостей

d (Н)

Размер, мм 1 Г.

К53-1

0,1-100

±10; ±20; ±30

3,2-7,f~

7,5-16

К53-1А

0,1-0,68

3,2 4

7,5-13

0.068-68

3,2-7.2

7,5-16

0,047 47

3,2-7,2

7,5-16

0,083-33

3.2-7.2

7,5-16

К53-4

0,68-100

±10; ±20; ±30

3,2-7,2

7,5-16

0,47-68

К53-6А

22-100

+60 -т- -20

17,5

, 4,7-33

13,5-17,5

4.7-22

13,5-17,5

КбЗ-7

1-47

+20-=--15

3,2-7,8

18-30

0,1-22

4-7,8

25-30

К53-14

0,1-100

Ч-10; 4-20; ±30

3,2-9

7,5-16,5

0,1-47

3,2-7.2

7,5-16

0,068-33

3,2-7,2

7,6-16

0,047-22

3.2-7,2

7,5-16

0,033-22

3,2-7,2

7,5-,16

К53-15

2,2-47

±20; ±30

2,5-10

К53-15А

1,6-33

2,5-10

2,5-22

2,5-10

0,68-15

2,5-10

0,47-15

2,5-10

0,1-10

(1.5-2)

2,5-10

К53-16

1,5-10

±20; ±30

(3,4-5,0)

1,9-2,3

1,2-1,6

1-4,7

(3,4-5,0)

1,9-2,3

1,2-1,6

2,2„ 3,3

(3,7. 5,0)

0,68-2,2

(3,4-5,0)

1,9-2,3

1,2-1,6

0,47-1,5

(3,4-5,0)

1,9-2,3

1,2-1,6

0,33-1

(3,4-5,0)

1,9-2,3

1,2-1,6

0,22-0,68

(3,4-5,0)

1,9-2,3

1,2-1,6

0,01-0,47

(3,4-5,0)

1,9-2,3

1,2-1,6

К53-17

6,8-68

±10; ±20; ±30

Mi6-М8

21-26

проход-

4,7 47

Mi6-М8

21-26

ные до

2,2-22

Мб-М8

21-26

1000 МГц

К53-18

4,7-1000

±10; ±20; ±30

3,2-9

7,5-21

3,3-330

3,2-9

7,5-21

2,2-220

3,2-9

7,5-21

1,5-100

3,2-9

7,5-21

1-22

3,2-7

7,5-12

К53-26

4,7-150

±20; +Э0

(4,5-17)

4-16

1,3-1,6

3,3-100

(4,5-17)

4-16

1.3-1,6

2,2-68

(4.5-17)

4-16

1,3-1,6

1,5 47

(4,5-17)

4 16

1.3-1,6

1-33

(4,5-17)

4-16

1,3-1,6

0,68-10

4-11,5

1,3-1,6

К63-27

0,68-330

±10; ±20; ±30

11»о)

3,2-10

7,6-25

0,47-220

3,2-10

7,6-25

1-47

32-7,2

7,5-16

0,47-33

3,2-7,2

7,5-16

40 -

),47-10-

3.2-7,2

7 ,5-12


Номинальное напряжение, В

Номинальная емкость, мкФ

Допускаемое отклонение, % Ряд емкостей

D(H)

Размер, мм

X. 1 в .

К53-28

6,8-150

±20; ±30

(3.5)

10-20

7.1-17

4,7-1 СО

(3,5)

10-20

7,1-17

3,3-68

(3,5)

10-20

7.1-17

2,2-47

(3,5)

10-20

7.1-17

1,5-33

(3,5)

10-20

7,1-17

1-10

(3,5)

10-20

7.1-17

К53-29

15-1500

±10; ±20; ±30

3,2-9

7,5-21

10-330

3,2-7

7,5-16

6,8-220

3,2-7

7,5-16

4,7-150

3,2-7

7,5-16

ПОДСТРОЕЧНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ ДКТ4)

Подстроечные конденсаторы (рис. 25) по конструкции делятся на дисковые, пластинчатые и цилиндрические. Эти разновидности представлены пятью базовыми конструкциями: дисковые общего применения, дисковые микроконденсаторы, пластинчатые, поршневые и концентрические.

КПВ, тпвм

гкпвм

зкпвм


Рис.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [ 22 ] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29]

0.001