йоток боздйется ампёрвиткйми aw = tw, где ti) - чиСло! витков обмотки дросселя. При неизменном числе витков намагничивающий поток пропорционален току в обмотке Э. д. с. на зажимах обмотки дросселя

. ед = 4;Ф/и)10-8,

где коэффициент k определяется формой кривой тока намагничивания (для синусоидальной формы намагничивающего тока =1,И);

Ф - магнитный поток, создаваемый протекающим через обмотку током; ••

f - частота тока намагничивания; .• W - число витков обмотки дросселя.

Отсюда следует, что при неизменной форме тока, постоянной частоте и определенном числе витков э. д. с. пропорциональна магнитному потоку.

Реактивное сопротивление дросселя:

где Z- действующее значение индуктивности дросселя, гн; / - частота тока, гц.

Если дроссель не имеет стального сердечника, то его индуктивность можно считать неизменной, определяемой как коэффициент пропорциональности между магнитным I потоком и током намагничивания, т. е.

. Z = --=108tga,

где а - угол наклона кривой намагничивания (вольтамперной характеристики).

Таким образом, по заданной вольтамперной характеристике можно определить индуктивность дросселя. Если вольтамперная характеристика дросселя линейна, то ее наклон остается неизменным, и индуктивность такого дросселя остается постоянной независимо от величины намагничивающего тока. Если же вольтамперная характеристика нелинейна, то угол наклона касательной к горизонтальной оси будет разным для различных участков характеристики.

Последнее показано на фиг. 4,6. При токе намагничивания 1 (точка А на вольтамперной характеристике)

мгоЛ наклона равен й,, й индуктивность дросселя 1,==: jQ8tgaj. Точно таким же образом можно определить - дуктивность дросселя при токе намагничивания , в точке Б вольтамперной характеристики, где

Z2 = IF.tg «2-

Очевидно, что.индуктивности Li и L2 неодинаковьБ по величине, а следовательно, реактивное сопротивление дросселя можно менять в зависимости от тока намагничивания. ) Свойство дросселей с насыщенным магнитопроводом дает возможность применять их для ряда целей, в частности для феррорезонансной стабилизации напряжения.

4. КОНДЕНСАТОРЫ С СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОМ

Конденсатор с сегнетоэлектриком представляет собой нелинейное реактивное сопротивление вида Z, нелинейность которого обусловлен зависимостью диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от приложенного к конденсатору напряжения. Диэлектрическая проницаемость диэлектриков, используемых в обычных конденсаторах, практически не зависит of величины приложенного к конденса- тору напряжения. Вследствие этого емкость обычного конденсатора це зависит от величины напряжения на его электродах.

В качестве сегнето-электриков применяются чаще всего смеси титана-та бария и стронция. Диэлектрическая проницаемость этих материалов зависит от величины прило- женного к конденсатору напряжения, а также йот ч.астоты.

Обычно диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектри-кСв указывается для определенной температуры (соответствующей точке Кюри), при которой проницаемость достигает наибольшего значения. Температура, соответствующая -точке Кюри, различна для разных материалов.

На фиг. 15 прицедены кривые зависимости диэлектриче-• ской проницаемости для некоторых сегнетоэлектриков. Поль-* " 19

-200 -WD О +100 +200С

Фиг. 5. Зависимость диэлектрической проницаемости £ от температуры t сегнетоэлектрика.

А - для 5гТЮз; для 2ВаТ10.; В - BaTiO,.

зуйсь крйвьимн фиг. б, находим, что точка Кюри для смёсн титаната бария и стронция (кривая Б) соответствует 40° С Следовательно, при комнатной температуре смесь титаната бария и стронция обладает достаточно большим значением диэлектрической проницаемости.

Для других сегнетоэлектриков с большими значениями диэлектрической проницаемости е точка Кюри соответствует температуре, намного отличающейся от комнатной. Так, например, для ЗгТЮз (кривая А) наибольшее значение е=:

= 1-3 800 соответствует теперату-ре - 80° С, а при температуре +20° С диэлектрическая проницаемость снижается до нескольких десятков единиц, что делает SrTiOs практически непригодным для использования в качестве диэлектрика нелинейного конденсатора.

Как видно из ряда характеристик конденсатора с сегнетоэлек-триком (фиг. 6), показывающих нелинейность его реактивного сопротивления, емкость конденсатора меняется в зависимости от приложенного к нему напряжения. На фиг. 6 внизу показана зависимость реактивного сопротивления конденсатора от приложенного напряжения постоянной частоты. Вольтамперная характеристика конденсатора показана на фиг. 6 штриховой линией.

Практическое применение титанатовой керамики с очень высоким значением диэлектрической проницаемости s затруднительно вследствие значительного влияния температуры. Это влияние в известной мере ослабляют путем введения небольших присадок в титанатовую массу. iBce применяемые присадки можно разделить на две группы: к пер- , вой относятся примеси BaSrOs и PbSrOs, сдвигающие точк5 Кюри (обычно вниз), а ко второй - примеси MgTiOs и СаТЮз, ограничивающие возрастающие значения s вблизи точки Кюри.

Малые количества присадок второй группы одновременно с „подавлением пика" Кюри могут повышать значение е при температурах, меньших точки Кюри. Однако и при этих присадках получаются ,e=s:2 500, тогда как с присадками первой группы удается получать массы с е= .

Фиг. 6. Характеристики конденсатора с сегнетоэлек-триком.