Согласно ф-ле (1.7)

в частном случае, при В = Е",

4 = СоРон1п2«.0,7СоРон.

Параллельный диодный ограничитель по сравнению с последовательным обычно обеспечивает худшую четкость ограничения. Действительно, в параллельной схеме четкость ограничения определяется отношением Rnv/Ro, в последовательной - отношением Ro6v/R; неравенство RoCvl R практически оказывается более сильным, чем неравенство Рпр <. Ro- Другим недостатком схемы

Рис. 3.6

параллельного диодного ограничителя является необходимость иметь малое внутреннее сопротивление источника напряжения Е. Кроме того, в параллельной схеме при запертом диоде вход и выход разделены большим сопротивлением Ro и для выделения сигнала в нагрузке без существенного ослабления необходимо, чтобы входное сопротивление нагрузки Рн значительно превосходило сопротивление Ro, что не всегда имеет место. С другой стороны, последовательная схема обладает тем недостатком, что на высоких частотах и при крутых перепадах напряжения проходная емкость диода создает в режиме ограничения (при запертом диоде) паразитную связь между входом и выходом.

Двусторонние диодные ограничители. Двусторонний диодный ограничитель можно получить путем соединения односторонних ограничителей. Для этого могут использоваться

схемы как с последовательным, так и с параллельным ограничениями.

На рис. 3.7 приведены схемы двустороннего последовательного ограничителя и соответствующая временная диаграмма. При

отсутствии внешнего сигна-

ла диод Дг открыт {Ег>Е{). Верхний уровень ограничения определяется величиной Е2, а нижний - величиной Ни равной потенциалу катода, при котором отпирается диод 1: l/i «>

При Ывх < Ui диод Д1 закрыт, D2 открыт и Ыпых Vi.

При f/i < «вх < £2 ®ба диода открыты и «вых «вх-

При Ивх > Е2 диод Дг заперт и Ывьтх Ег,

В схеме рис. 3.7б опорные напряжения создаются общим источником смещения Е; пересчет схемы рис. 3.7 е в схему рис. 3.7 а производится по формулам:

= II/?Г; R2 = R!i\\mi

Рис. 3.7

2 = 77

Е.

R2 + 2

Схема двустороннего параллельного ограничителя и соответствующие диаграммы приведены на рис. 3.8.

3.1.3. УСИЛИТЕЛИ-ОГРАНИЧИТЕЛИ

Транзисторный ключ ОЭ (рис. 2.12), рассмотренный в гл. 2, является примером усилителя-ограничителя, имеющего два порога ограничения: первый порог определяется уровнем входного напряжения Ывх(0. при котором транзистор заперт, а второй - уровнем Ывх(0> при котором транзистор насыщен.

в режимах отсечки и насыщения коэффициент передачи равен нулю (/Согр»0), выходное напряжение практически не зависит от входного и равно: Мкз = -/ко/?к « £к в режиме отсечки и «кн » О в режиме насыщения. Вследствие инерционности транзистора длительность выходного импульса больще длительности входного. Для уменьшения степени насыщения или предотвращения насыщения включенного транзистора используется входная цепь с ускоряющей емкостью (см. параграф 2.2.3) или нелинейная отрицательная обратная связь (см. параграф 2.3.4).

Усилитель-ограничитель в режиме двустороннего ограничения часто применяется для формирования из синусоидального напряжения импульсов с крутыми фронтами, при этом рабочая точка (при Мвх = 0) выбирается вблизи уровня Нк=£к/2. В таком случае ограничителем пропускаются -Ez наиболее крутые участки синусоиды и при большом коэффициенте усиления выходные импульсы обладают короткими фронтами.

В качестве усилителя-ограничителя широко применяется ключ ОЭ с трансформаторным выходом, рассмотренный в гл. 2. Основные расчетные соотноше-; ния для усилителей-ограничителей такие же, как в соответствующих схемах ключей; они приведены в гл. 2.

Усилители-ограничители на многоэлектродных лампах не от-, личаются по схеме от рассмотренных в гл. 2 ламповых ключей. Ограничение получают за счет отсечки анодного тока (при напряжении иа сетке лампы, меньшем потенциала Eg запирания лампы), а также за счет появления сеточных токов (сеточное ограничение) или за счет верхнего изгиба анодно-сеточиой характеристики, обусловленного переходом лампы в область критического режима (анодное ограничение).

3.1.4. ПРИМЕНЕНИЕ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ

Рис. 3.8

Ограничители являются основными элементами многих импульсных устройств; они применяются для:

- формирования импульсов стандартной амплитуды путем ограничения входной последовательности импульсов некоторым заданным уровнем (рис. 3.9);