ра, что соответствует сигналу резонансного увеличения амплитуды акустических колебаний (рис. 3.2).

Для всех исследованных образцов наблюдались размерные резонансы на основной частоте (п = 0) и высгаих гармониках [163]. Однако было установлено, что интенсивность размерных резонансов зависит от напряженности приложенного статического магнитного поля, как следует из рис. 3.2. Эта зависимость носит резонансный характер, причем Ярез имеет практически одно и то же значение для различных толгцин образцов, основной и высгаих гармоник.

150 Я,Э

Рис. 3.2. Зависимость интенсивности сигналов размерного магнитоупругого резонанса от магнитного ноля для трех случаев: L = 0,77 мм, п = О, /о(оо) = = 3,115 МГц (i); L = 0,77 мм, гг = 1, /1(00) = 9,4 МГц (2); L = 0,26 мм, гг = О, /о(оо) = 9,1 МГц (3). Все кривые имеют максимум при Н 40 Э

Такое поведение интенсивности размерных резонансов может найти объяснение в особенностях перестройки ростовой доменной структуры и формировании динамической доменной структуры нолем акустической волны.

Как известно [162], доменная структура в ГеВОз представляет собой распределенные по толгцине слои -домены с различным направлением намагниченности в базисной плоскости, разделенные 180°-ными границами типа Блоха. В свою очередь, в каждом слое имеются 180°-ные домепы, разделенные границами Нее ля. Нри наложении статического поля в плоскости

и (Я) = и (оо)

f , л 2п + 1 In (оо) =

С4фо (Я2 + ННд + IHsHms)

£44

1 1/2

(3.6)

где Не = 3 • 10 Э - обменное поле; Яд = 0,7 • 10 Э - поле Дзя-логаинского; С44 - компонента тензора модулей упругости, определяюгцая скорость сдвиговых волн в направлении (7з; i/s - эффективное поле спонтанной магнитострикции; /iQ -намагниченность нодрегаетки; /(оо) - частота размерного резонанса при Н оо] р - плотность кристалла.

Зависимость интенсивности сигнала размерного упругого резонанса для монодоменного образца имеет вид

4 (Я) (Я + ЯЯд + 2ЯЯ,)-\ (3.7)

Ранее выполненные эксперименты но нолевой зависимости fn{H) на монодоменных образцах показали, что выгае 100 Э теоретические зависимости (3.6) полностью совпадают с экспериментальными кривыми [2].

При анализе экспериментов, проводимых в полях с более низкими напряженностями (Я < 100 Э), необходимо также учитывать то обстоятельство, что процессы смегцепия доменных границ будут экранировать проникновение переменного ноля H{t) внутрь доменов. Поскольку экранирование растет с увеличением числа границ (при умепьгаении Я), в результате умепьгаается объем образца, в который проникает ноле Я(), что и приводит к уменьгаепию интепсивпости размерного резонанса при Я < < 40 Э. С другой стороны, доменные структуры создают дополнительные спонтанные магнитострикционные напряжения, что дополнительно усиливает зависимость Hms от копцентрации домепов.

легкого намагничивания в первую очередь исчезают доменные границы типа Нееля {Н ~ 1-5 Э). Дальнейгаий рост поля Н приводит к исчезновению границ Блоха {Н ~ 35-40 Э) и полной монодоменизации кристалла.

Для монодоменных образцов легконлоскостных антиферромагнетиков частота размерного упругого резонанса определяется выражением

3 А. в. Гол енищев-Кутузов и др.

Итак, учитывая вышесказанное, можно полагать, что в интервале нолей 35-40 Э уже наступает монодоменизация образцов, но магнитные моменты остаются лабильными и могут ориентироваться в поле магнитоупругой волны. Как следует из данных рис. 3.2, резкое возрастание зависимости 1{Н) на основной частоте и гармониках соответствует переориентации лабильных магнитных моментов. При этом возрастание на третьей гармонике связано с резонансными колебаниями доменных границ. Этим же обстоятельством можно объяснить резкое сужение резонанса 1{Н) с переходом от основной частоты к третьей гармонике. С дальнейшим ростом напряженности магнитного ноля магнитные моменты закрепляются в поле и интепсивпость магнитоупругого резонанса резко падает.