Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [ 91 ] [92] [93] [94]

7с, мА

1<П350А,В,3 ZnSSOA.B

UzU SB -0,1

--

7.4. Полевые транзисторы большой мощности

К11901Л. KIIWiB

Планарные МДП транзисторы с пилуцироваиным катЕЗлом п гипа Предназначен))! длм рабочы в >сили1елнх и генераторах колебаний коротких и ультракоротких волн

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с л\есткнми ныводимп (pHt 7 2, t]

I [ in 1. т [fbi

Pi ! 1М i [ II

кГП(И \

к ПО:) IE

(An =20 В. J j,i

25 X

< 200

0,.,, U>5X

< 400

0..,г.= -ЬО С

К 500

5 м\/Б

I 20 В /. - 0 Оокр= 125Ч:

0,-.,,,= box

5 А. %

25 "С

>50 :-20

> iO

>60

г-зо

> 40

/(- „ч~, "ЛЬ. \

f;ui=H5 в. ол-

--15 В

/ьмх. Вт

V{ \\ 50 в, fv Hi -=

-0 100

> 10

>0 7

а,.и-50 в, Lju-

10 Вт,

/ - 100 MI ц / 60 МГц

> 10

Л. %

Уги =50 В, f/ni = ] = 60 МГц

10 Bi,

>3.1

Спь иФ

Uiu - -30 В, /-

1 10 ,МГц

< 100

100

t/Mi- 25 В, и,п-] 10 Ml ц

- -15 В,

< 10

<10



Параметры

КП )ul \ KnoOlD

Предельно допустимые эксту?тациошм ic дл[ные

.СИ пих. В

- -fiO "С

= 100 4

Г50 -г

= -60 X

(hop

- 100

ч-ЗО

+ 30

с глад- А

/КС.

прн т„ = 1

ГИ и max-, В

ирн Т 1

-СЗ (I max.- В

прн Т, 1

0,,,р

- -60 С

Окир

fi "С

•Jjltp

- 60 1

чт о

тс м г р = iU -

-и И.«1к ,

1 1 Гк)

30

КПЗША,1<Л501Н

15 11 иШ

-- 6-0Гц

1 %3h

1 /?

КГ1002А, КП002Б, КП902В, 2ПОД2А. 2П902Б

niaiiiiinihit МД 11 I panjHi-1 upiji с и иду ци;юва11ны-1 кнналом п лт\л flpiMMd-.ничеиы пя работы в пр>1емнп пере дающей аппаратуре в диа[нзоне частит до 4U0 МГц

Вы1уекаю1еи н ме i а.иЮкерамическом корифее с жс1кимп пыподами (рнс 7 2. г=)

КП02Б

П<1раметръ

14 /1 [ 1 pt ния

2ii9i.)ih

fcu24< мА

и -50 В, IjM =0,

о„р25 д:

1.- iO

< И"»

О.к;. - -ЬОС и 0<ж.,

<15

=60 в. <7зи = -10 В

<0 5

<0 5

<0.5

1,Л мА/В

Ьзп - -30 В

<л

./ги =20 В /( =50 мА,

йоьр=25С

->8

0\и =50 В, /г =50 мА.

/ = 250 V\rii.

<6

<П

6си - 50 В. /с -50 мЛ,

J = 250 МГц

>6,6



П арамстри

Режим измерения

кпясгл

КП902Б

КП902В

2П<)02 \

2П902Б

22н. МкСм

Vcw =50 В. /с 50 мА

<190

<190

<190

Cflx. пФ

iui =25 В, =0,

f = 10 МГц

< 11

<11

<п

Спрох, пФ

- 25 В, иш ~ 0,

/ = 10 МГц

<0,6

<0,6

Свых, ЧФ

=25 В, t/зи =0,

/ 10 МГц

< п

предельно допустимые эксплуатационные данные

СИ тал:,

От 9(,кр до Экор шах

зи max, В

От Оокр mjii ДО Вкор max

ЗИтт: В

От Оокр r«iri ДО кир гпих

СИ и шах, В

То же, при т,, < 1 мс.

Q = 100

Cmflx, мА

О.ор < 25 С

Яо;., Вт

екср<25°С

Ряых max, Вт

То же, на частоте 60 МГц

l,ft

+ 85

4-85

+ 125

+ 125

Оокр min>

При t-jH - О наибо.ьшее нап-яженне .гок - uliuk равно ЬО Б

При уБсличемни томисрагуры корпуса от 25 до 85С ток стока грзнзнсторпв КП902Л

КП9()2В снижуетсм но линеиничу .iiiKuny ди ПО мА Пр1 увеличении температуры корпуса от 25С до Эь;,р мощность снижается по ли

нсиному закону ло 2 5 Вт у транзисторов КП902 и до 1 Вт - у транзисторов 2П902

Тс, мА

Ш02А НПШБ

кпшв

мА Z5Q

150 100 50

кпзш шогБ швгв

10 20 30 иа.В В 5 10 15 Z8 Z5U..,B



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [ 91 ] [92] [93] [94]

0.0013