Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [ 90 ] [91] [92] [93] [94] гплзАдв мА -г ~1 /с. 8
г 6 д W и ,в
1 к.,в о 10 1,мА КП314А Планарный полевой траптстор с р /7-за1 вором и каналом /i-THna Предназначен для рнботы в охлажл.аем1.!\ каскадах лрсдусили 1ел1.и устройств ядерной спс1\три\1егрни Выпускается н fviciс1Лл<ктеклннном корпусе с гибкими ны полами (рис 7 2, а)
Предельно допустимы? -:(ксплуятацианн,10 данные
КПС315А, КПС315Б Эпитаксиально-планарные сдвоенные полевые тран зисторы с р-л-затвором и каналом «-типа Предназначены для работы во входных каскадах дифференциальных усилителей HH3Koii частоты и постоянного тока с высоким входным согротйвлением Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис 7 2.й).
Предельно допустимые 3Kcn.iynTaiiH0HHijic данные и п.их, в у W. г:а(, В зи .;ыи Б У<П ,.,ал. В fj пр мА "С -60 с ЬО "С - СО ч: (),кр 100 L 100 с 100 °с То же, при иц О -60 °с <;бс,кр < 100 -60 "С<Оо,р < 25 "С 25 30 30 30 300 - GO 25 30 30 30 300 -flOO Темпера I у p.и.1 и vxqj рлзнпсги напряжении чатвор -истпк в »ИТ-.рвале теукератуп от 2» до 100 "С мощность (мВт) рассчитывается ntt фор м>лс P,nav = 300 - 2 G (Оскр - 5) КП350А, КП350Б, КП350В, 2П350А, 2П350Б Планарные МДП транзисторы с двумя изолированными затворами и встроенным каналом ?г-типа Предназначены для работы в высокочастотных каскадах радиоэлектронной аппаратуры Управление током стока осуществляется иаприже-нисм, нидавэемым на первый затвор На BTopofi затвор подается постоянное напряже1[ие Прн необходимости второй затвор мо- жет использоваться в качестве второго управляюи1его электрода. Диапазон рабочих температур транзисторов типа КП350 лежит в пределах -45 +85 "С, у [раизисторов 2П350 - в лределах - 60 +85 °С. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис 7 2, а).
ли tit иному 3 (Киму [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [ 90 ] [91] [92] [93] [94] 0.0016 |