Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [ 85 ] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]
Б нн ераале темп;:1ьтур ог 25 70С fma (мВт) рассчитывается по уор>-1 f.riax = 200 - l.aiexp - 25.. шша, КГ302Б, КП302В, КП302Г, 2П 302Д 2П302Б. 21I302B, 211302Г, КП302АМ, КП302БМ. КП302ВМ, КПЗОЗГМ Планарные полевые транзисторы с р-я-затвором и каналом «-гипэ. Предназначены для работы в широкополосных усилителям Б диапазоне частот до 150 МГц, переключающих и коммутирующих устройствах. Диапазон рабочих температур транзистороз типа КП302 лежит в пределах -60... -fWC, а -транзисторов 2П302 - в прсдстих - - бО...-Ь 125 "С. Выгтускаюгсл в метгллостек.мпнюм корпусе с гибкими вы-кодами (рис. 7.2, а).
Прк температуре свыше 23 °С максиуат&но допустимая мошн1,с1ь {ыЕт) определяется по формуле Р„,ак = -"J - ("окр ~ Примечания- I, Электрнчсск,[с параметры транзнстороз -vl 1:-!Г)2П К11302БМ, КП302ВМ КП302ГМ такие же, как у транзисторов cooTBercTUCFfHo КПаЭ2А КП302В, КП302В, КП302Г. 2. Конструктивное отличие тракзистпроп КПЗОгЛМ. КПЧП2Г;1 от КПОЗА КП302Г состоит в отсутствии вызода от корпуса {имеют не че"ыре, а три выиода. соответствую щие CTOhy, затвору и hi.tok>).
1S 1/ги,В о п,д и 1,в г/п£ О 0,4 0,5 0.д р иВ О О 0,4 o,s 1,1 1,ь си,й о 23 Uy,,B КПЗОЗА, КПЗПЗГ>, КПЗОЗВ. КПЗОЗГ. КПЗОЗЛ, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ. КПЗОЗИ, 2ПЗПЗА, 2П303Б. 211303В, 2П303Г, 2П303Д, 2П303Е, 2П303И Эг[итаксиально-планарные полевые ]ранзисторы с р-п-затвором и каналом п гипа Предназначены для работы в приемно-усилитсльной atinapaiype но входных каскадах высокой (2П302Д, F, Pi н КПЗОЗД, Н) и низкой (2П303Л, Б, В и КПЗОЗА, Б, В, Ж, И) частот с высоким входным сопротивлением Транзнсгоры 211303Г и КПЗОЗГ иредиазначепы в основном для работы в зарядово-чувстнигельиых усилителях Диапазон рабочих температур транзисторов типа КПЗОЗ лежнг в пределах -40. -f85°C,a транзисторов 211303 - в пределах -60 + 123 X Выпускаются в металлостеклянном Koptiyce с гибкими кыв(ыамн (рис 7 2, а]
[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [ 85 ] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.0013 |