Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [ 82 ] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

OCj 5 I ;i Fit 1111Я

Onpje nHHn

* K"ЬT)(JlЧl:r\ IMUi Ml Ы ,\ V,l HO IcRC (i 1 [V !1 JH

1.0JффИ Ill H I M t IK)

0СОГО ipjil UUlOp.i

Ko3([j(j.niiiiiefiT усилении } oiriHoi I и no..ien(jio i ,>jinnc ropd

uTBop - iKToK .аьисп-i!oi 0 полево! о 1 p,jii ui-t гора

iajaocTb активных bi.i-\n LHbix проводиMOijTen I LKoeiiiioro полсьо;о 1 paiUMCTopa I гмпсра I ypHbii> y>oi !гюсги напряжении

..I 1 KOp IU lOK ( LHH-II lliilO iltiUlUii IjMll ui

Л-Л -

22 in I I

\1 t/

i\11

CiieMVj„ibiid Ч нлtJTlIOL jtuji BdKHTiioiu mydtidio iianpiijki-1И1Я, ipHBtMC iiii<jro ко (5хпду, при KopiiThCiM ч, ;\ыкаиг1и на входе с обш,н\1 истоком

Отношение потной viomfioe гн и\\ MCFi на вылоде полевого гр.т 3nCT0fa к той ее чщ-\и, которая вызвана теи/юнычи нгумамн со-11[)отин,и( ния источника сигнал,:»

ОТНС1ГСИИО МЛДИОСШ ¥Л вьгкос

полевого трпзилора к moih Ности на входе при опрсделем-нон частоте н (хеме иключсния Лбсол10тиое И1аче;гис [1азиости iidnpHrtcemiH между затвором и истоком сдчоенного полевого транзистора ipn затонном ток* LTOKa

Лбсолнэтиое 1ГЛчегие разности активпыч иы?(,>дны>; ггроводимо-шей сдвоенного полевою транзистора

Отношение шменения рязности иапрягкении чежд: шткором и исгоким i iH[>(iiifO"o нолевою 1р,1и uiviop:) к ць 1и;111Пем> eri> и 1мгн"-11ию re\]jnpjTyH,[ окр>-жаОпи"Н ерсльг

К бук[!е111ому индексу Г/:акси1У;льно допуттимы;< значении мр;зметров дпбавля101ен <ти.\» или «.тт-?.

Низ11ачение выводон, внеш1И!Й вид и основные размеры кор-1\сов по.певых тр,31ПИ1Т1>ров гризедены ла рис 7 2


1,7 .(7/Л \Л7;т,Я.73г./1У-(::".,•.irj, "j7i,".Jl.

кит zfi;0z

t!.i

J

хплч.глш

Цо" L

/Tf JD

1-.5

ИП90Ч



КП?5, Г.П907




a 9 r <

[ML,



КПЗ/г

5 К735, iJ


/fyifW,


Wli л-д

il -

21 $03

Pur 7 2 BiciiHUH вид, ocKoii-гые рлзмеры и расположение иыводов нелепых TpaHiiiciopoB

7.3. Полевые транзисторы малой мощности

КП102Е, КП102Ж,

КП102И, КП1С2К. КП102Л, 2П102А,

2П102Б, 2П102В, 2П102Г, 2П102Д

Диффузионно-планарные полевые транзисторы с /j-n-затвором и каналом р-типа Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты н постоянного тока.

Вьп1усКсЗются в металлKTCiuiHHHoM и пластмассовом корпусах с гибкими выводами (рис. 7.2, й, л).



1 :s:

1Д s с: -

О; to

см о*

о* о"

<

f. СП

II

S IS

lO о

1С о

= I

in о

1:1. о

О с:

с са

* •

а о



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [ 82 ] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011