Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [ 76 ] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

Про Ю Ч(, .-iU

Парамстры

fb та». В

и "ЛИ А Fj irax А

пшг, Вт гер кпр, С/Вт

-пер Wfl.i-i

П Т

е, а,

IILll

KT}:)4A

Режим HJMtpLHHH

KT90-\

Pl » iiM n >4repcHii"

КТП04Б

К "j

- lOU Om

/?ЭБ 100 Ом

< 12П

e„ep < 120

< i2[i "(

Oncp< 120 ч:

< 120

Onep< 1200

120 Ч.

a,,p. 120" с

Г>

a,op 25 °c

13,5-

-40 -85

10 +85

в JHHaMiiici-huii iLHtn\c При т.миератр? корпч.т от Ю ти Ч"» ч саибо ТЬЕная luin c-i иная мощность [Вт) опрЕдетястся го формУ1е Pj = - Прн температуPL- -оршсл от 2-> v> kc X наибоч.шля лоп. тимап \ сщног:-[. оирс,)/.тпсгсл п(. форм ii- к max = ~ ",ор)/

Приведенные на с 229 входные н выходные характеристики транзисторов КТ904А и КТ904Б соответствуют нижним и верхним границам 95 %ло разброса

К2 СО



ГТ905А, ГТ905Б

Германиевые днфф\зионно-сплавныс i ранзисторы р-п-р. Предназначены для работы в усилителях, генерат(?рач и импульсных устройствах.

Выпускаются в металюпласi массовом корпусе с жесткими выводами (рнС- 6 3, в).

ГТЮЗЛ

[ ТЧ)М>

2 ie

L/k= -10 В, /i „ = 3 A, T, =

35 ШН

35 100

- 0,2 MC, \ - 100 Гц

t;K= - to B, Ъ==0.5 A;

>3

f = 20 МГц

/кьо. мА

КБ = KD пих

<2

Ъьо,

Оэь = -Л В

<5

Ск. иФ

fKE = 30 В, / = 10 МГц

< 200

fb. ПС

КБ= -30 В, /э-ОДЗ А,

<300

/- 10 МГц

к-ю гр, в

/э и = 3 А; Ти = 60 мкс, / =

>65

>65

= 1 2Ги

/рло, мкс

/в , =0,5 А; /б =-0.5 Л; =

= 10 Ом

1К9 нас, В

/к = 3 А; /в = 0.5 А

-0,5

-0.5

U\3 к max, В

Q > 3; т„ < 20 мкс; I 70

- 130

t/вэнас, В

/к-3 А, /б = 0,5 А

Предельно Aori\cTHMbif эксплуатационные данные

в, Окор < 70С

- 60

к max, В

е,,р<70ч:

и А

т„ < 20 мкс, Окг.р < 70 "С

тах

бк.р < 70 4

Ifj и паХ А

0,ор<70 4:

,пал. Вт

Оок --"с 2о С

Рк max т, Вт

О.,р:30Х

Pnfp imp, (j/Вт

l,CV-;-.0[b С./ВТ

п °г

60 -

+ 70

При Tcvreparvpt 0[чр\жс1О1[1ей среды от 25 до 70 Е1а[1больш,1п лоп>1тнм<1Я m.ti;;[iocti, В} 1Л1реде.!я*;тсм ни ф<1рм>.1и Рк = (Ь5 - О, кр) Z-*

При TCMirpriTvpe KupnjL;i oi 30 до 70 наибсльгиая а .пустимая мощность (Вт) рас t4[[Tiiiiia{; гея 11 (1юр\1\лс -f 04 (83 - B.jp I/О





и,в -го о

1 V .л

\ я \

гг385а,б

\/у\

гомп

о,г 0,4 0,0 0,3 h,a о о,г о, о,8 1з,а

КТ9П8А, КТ908Г)

Кремниевые меча-планарные транзисторы п-р-п Ир( лназначсны для работы в ключевых Стабилизаторах и ripe- )р,иователях напряжения, импульсных модуляторах.

Иынускаются в мсiаллостекляином корпусе с жесткими вы I 1 1.1 \1и (])ис 6 3, и)

1 Ml гры

Т\ ли l [i С ]"iL ИМЯ

к тооз \

КТ-Пь

= 2 В: /к=- tu А, 23-С

8 60

>20

1к =

5 Л; 1\„,з= 125

> Ш

/к =

10 А, Оокр= -GO°C

6 60

= 10 В: /к I А. 10 МГц

>3

>3

=~ 10 Ом, LkcI ~" K3R г.а\

<25

<50

25 X

-80 В, 0,,р = 125=С

<75

< 150

= 5 В

< ,.00

<250

10 А, /в = 2 А

< 1.5

< 1,0

10 А, /б = 2 А


[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [ 76 ] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011