Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [ 72 ] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

Pl, 1 IM li " ,и nil 1

(.э-ШВЛк- 0.1 Л;

10 120

Оокр - 125

5 300

0„кр- -ьос

5 120

f7i,., 700 В, Rbd = 10 Ол-

0„,,-25Ч:

<2

и\, 300 В. Пъд - 10 On;

0,.,р- 125Ч:

<5

L/k-* = 500 В, Rb-i 10 Ом;

Опкр= -fiOT.

<4

иьэо В

<з

ю 15 В,/к = 0,1 А,/ - 1МГн

/к-0,5 А; /ь-0,2 А

<2.5

-biJ Ma-.

/к =0,5 А;/в-0,2 А

f-hO rp> В

/к = ОД \, /„ = 160 мне, Q > 10

C„ пФ

(/кв = 100 В, / = 1 МГц

<25

Сэ, пФ

LBj =5 В, / = 1 МГц

< 250

Предельно доп\стнчые эксг.луатщюпные данные

-00"С<0,„о<75Х, Пиэ

- 10 Ом

V:>i и в

То же, при 20 ml, Q эО,

тф 0.2 \1кг

То ж<-, при Тф 1,5 мкс

1000

- 60 С <- Окор 125 °С

К 11 iJiii \ . А

- 60 Г о,„р < 125 ч;

/[, , ау, А

-60М Г25Ч:

0 7,5

Oi ц та А

60 Ч-<0,„, 1 I25X

0,75

т zoo

ктогоАДВ

0 / / / р

/к, 600

-гСПО

КТ825А,5,В

/ JUL

1

J00 ?f}fi

Z.UU

Д/ 0,0 0,8 If.B 0 2 9 6 U.B



31 [И [ И

Оцер -па , -

- GO. .Н-125

Для К1«-5п.Ч н hlf2jB Дгя КГ821)Б С к,о ip

П ) I I, iviiLjciTYpe hopnv\.a о- 50 дср I 2о "С iouj,n:j.Tb ( Ич р к i jn.i ст, я го 4>и[1 му PKJ ) 1-25-0«of,l/6,i>

КТ827А, КТ827Б, КТ827В

Кремниевые мсза-планарные cociaoHi.ie универсальные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока н напряжения, электронных системах управления, повторителях напряжения, переключателях, устройствах автоматики и защиты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выво.чамн (рис 6 2, б).

П,1 pj3 метры

Режим пм;рсиия

кт837а

h2\l

= 3 R /) =

10 л,

7 ".О

7"1

750 .

1Ь 011(1

IS ООП

1,4 ООП

- 125 С

"")()

7, И)

73i)

18 ООО

18 О)0

18 ООО

11 кр

-60 С

100 .

3500

::50О

3500

--ЗВ. ;к =

20 А,

Оокр

- 25 "С

> 100

> ШО

> 100

/k3r. мА

-ьо-с-о.кр-

: 25 "С

<з

<3

<;з

-- 1 кОм

= 125 С,

<5

<5

<5

1 кОм

/1>о. мА

-5 В

<2

<2

= 3 В, /к

= 10 А

>0,4

>ои

>0,4

10 МГц

10 А, /б =

40 мА

<2

<2

<2

/к =

= 10 А, /ь =

40 мА

<з

<з

<з

КЭО гр В

/к =

= 0,1 А; г„ =

300 чкс.

> МО

>90

>70



1 IfJ метры

К1ктл

К! 8:7 Б

кт&:7В

, MhC

/к - 10 А, /б = 40 мЛ

<0,5

/к = 10 А. /ь = 40 мА

< 1

/к=- 10 А, /г.-40 мА

<з

<3

<з

(\ пФ

КБ = 10 В

<260

<260

<2fi0

< ,, !1Ф

L/b9 = 5 в

< 1HG

< 180

<180

Предельно допустимые эксплуатационные данные

-ЬО "С<9кпр< 125 °С

"КЭН mav, в

Tq же, при /?Бэ = I кОм

КЗК Li max, в

То же, при Тф=0,2 мкс

-бОСОкор 125 "С

Ь iJtav, А

-60 "С < Окор125

/ К -(Ш V1

-60 °С < е,ор < 125 "С

К тих-

-60С<екор< 125С

и fia 1 - А

-бОСбкир 125 °С

V г т, Вт

-60 °С<0, >р<25°С

fu р кор. С /Вт

м1ср mac

-60 -4-125

при leMiLtpuTvpe корпуса б01сс "С мощрость (Вт) рассчитывается i.u (bu\ -jvc l\ „„, = (2СО-0ки,,)/1Л


W 15 ZO UB 0 5 10 1S цз



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [ 72 ] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0013