Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [ 71 ] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

С* С* 3

u. u, о X X Z

M <u Щ

CD td

о о -] I-I

Ji. Ji.

/Л a °

- *! n n n

Л /Л л /\

З; CD о

3 I I

о о ТГ

о с о g о

г г г. о п о " -о-о

\V V

о с; о с:

О От 1 о Gj ОС

"О

т, ! )

О"

;= о

<

1о , ~ f.„ - л. (О Сй

tri о 01 01 о 0J 1 ;л о ЦП Е

от о Сл Ln с» Со о сл о о ш

I ;-

Оп о ы с: i,i CJI с;

Ю о " - 0~.

Oi о ::л 05 ш о 1л о С;

to а; к

О о w"i 0"1 с

СЧ in О О

t- СУ:

01 О 01 Of ОС О

ОЛ о

О"" W v

oi

СЭ СИ

S то -( с

II 11 II X -

tD -

3 о -а

СП о-

II II

о с:

N2 СЛ

о о о о СИ О о СИ

о» СЛ II > > о

>

V /Л /Л V /А Л V V

I-0 t-j w« - - .- -

OA о о OI

w /л /л w /л л V V

[ОООЮО- - - - -

g w /л /л V /л л V V

U; t4j о- -

Ё V л /л V /л /л V V

"CotOO,--- ю

~ ~ OI о

V /л /л V л Д V V

V /л /л v /л л V V

о CD о сл

Сс l-O -

CD о

V /\ V /А А л ч

gfr vjw I-* ь - - J -

KT8\8A KT819A

KTH 1Kb KT8 tyb

Ь TSIbEM КТ81ЧБМ

l\T8iSB КГ81УВ

К [ RIM



-04 -ofi -a ~i,b u..,B

A 10

КГдПА~КТ81дГ /TSWAM-KTdWrM

J -

-эиЦл

h Ч 2

5. A

0,08 0,06 0,84 OfiZ 0

KJSWA-KTBWI


-0,5 -o;i Они.ъВ

КТ818А-КГ818Г

? -6 -8 ид

-700:

-Ч!Г

10}/А

KT825i. КТ825Д, КТ825Н

Кремниевые меза плаинрные составные уннвсрсаль-I м. транзисторы р-п-р Предназначены для работы в ус[1лите l НИЗКОЙ частоты, импульсных усилителях мощности, стабн-iiiiijpjx тока и напряжения, электронных еистемах управ I ПИЯ. устройствах автоматики п защиты, в других устройствах I I июзлектронной аппаратуры

15ин1ускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вы I" I ivin (рис 6 2, б).

1 ,)Ы

Pc/hl,.) ll3Ml,-J.ltHllll

КТУ25Г

к TS2 Г.Л

Ubb= -10 В, ij 10 А,

7.50

7,50

18 СОО

18 ООО

18 ООО



Р(-ж)и чч- -if} ия

КТ815Д

- ~3 В; 1з - 10 Л.

>i

>4

•КЭ нас. В

/к =

10 А, /ь = 4) мЛ

/к =

К) А, /г, = 40 мА

1П0мА,т„ < 300 чкс.

- 70

--25

/к ~

10 А. /ь - 40 мЛ

< 1

< 1

/к -

И) А. h 40 мЛ

<4,5

<4.5

>4.5

КЭ проб. В

[,5 В, /к = 1 мА

>W

SfiO

>30

= 10 В, 1 10(1 кГц

< GOO

<600

<600

С, пФ

,j В, / = 100 кГц

< вип

<600

< 6(10

предельно допустимые ЭКСИЛуЛт;1!1,11П]11и,К* ;ЫИ11.К

tK3Kwo*. в КЭХто*-. в mtjj в

к II mat- А

/(jij: , А Рк та\, Вт

Як /-ujvT, в г о "С

пор max,

кор f/lilV,

"С окр, -

"С

40 с < G„„j, <

т "С

То же. прк .бэ = 1 5 в

40 "Г

iiop

-40"се,ор<

-40 С

- 40 "С < е

100 с 100С

0к.р< 100= с

< 100 С

- 40 С о

- 00 -90 5 20 30 0,5 3 125 150 100

- 60 5 20 30 0,5 3 125 150 100 40 Н

-30 - 30 5 20 30 0.5 3 125 1.50 ИЮ

20 10

/<ts25a,s3

КТ826Л, КГ826Б. КТ826В

Кремниевые меза планарные переключательные вы-епковольтные транзисторы п-р-п. Предназначены дтя работы в преобразователях nocTOHuitoio напряжения, высоковольтных стабнлизаюрах и ключевых устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими пь?вода\н1 (рнс. 6 2,6).



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [ 71 ] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011