Полупроводниковые диоды. Строительная отрасль

Навигация

Меню

Электро Эволюция Электросистема Полупроводники Магистрали Интегралсхемы Электрика Хозяйство Компьютер Телефон Аппаратура Резистор

Главная Полупроводниковые диоды

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [ 64 ] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ

6.1. Биполярные транзисторы большой мощности низкой частоты

Назначение ныводон, внешний вид и основные размеры корпусов бнполпр[1ых транзисторов большой мощное!и HHiKoiJ частоты приведены па рис. fi!

rr703j FJIQS

!iit f> ! Бипплнрныс транзисторы большой мощности низкий ЧМ 114 ы

ГТ701А

Германиевый силавнои траизис!ор р-п-р Предназначен для работы в системах зажнитния двигателей RiiyTpeii него сгорания, а также для использонания в однотактных и двухта ктных преобразователях напряжения. Особенностью транзистора является возможность работы в условиях импульсных перегрузок по напряжению и мощности.

Выпускается в металлостеклянном корпусе с шбкпми вы водами {рис. 6 I, а)

	Ре/к IM 115мерен11Н
	= - 2 В; /к м = 5 А, т„ = 0,2 мкс;	>10
	/= 100 Гц
,21,. кГц	/ ~ 100 мА; f;K.-> -20 В
	Окв = -60 В; 0.,к, -20	<6
	Ое.р - 70 "С	<,iO
	Oohp - - 55 "С
/к.эх.	икэ = - 100 В; УЬЭ = - !>5 В, Оокр =
	= 70 "С	<50
	/э , =2,5 А, т„ - 10 мс, / - 1 Гц;	- 100
	0„,j,-20"С	- 100
	!j „ =- 2.Ь А; т, - 0,5 мс; f = 10 Гц;
	0,>,р = 70-0
	h „ = 2,5 А; т„ - 10 мс, / = 1 Гц,	- ОН
	01 р - -
предельно допустимые эксплуатационные дгошые
бэ tnax, В	B,j.p 70 "С
	Оокр < 70 "С	- 55
fK3 м.пшх, В	Оокр 70 "С, (7бэ0,5 В; т„ < ! мс.	-100
/к тах> -А	Q > 10
/к тах> -А	0,.,<Г25Ч:
/б max,	В режиме рисек:ын,1ния при 0,,., 70 С	1 50
Рц -пак т. Вт	Окор 25 °С
r,f р KDpi С/Вт
jju р H(J "1J
0окр "С		- 53

При гемпературо корпуса свыше 25 "С доп-тимя четность [Нт) расе*.keicmjih koI .iLKfopuvi, определяется по форчулс /"к мал = fS5 - Окор)/1,.

Вт 30

		\ГТ7В1А

ШдО Ш

		ГТ7В1А

-50-20 20 50 в:

О 10 ад во дщ

		ГТ701А

		f-ZB

2 4 6 8 101/

ГТ703Л. ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г. ГТ703Д

Гермаииеные сплавные транзисторы р-п-р. Прсд-н.мизчены для работы н выходных каскадах усилнчелен низкой члстото! радиоаппаратуры (приемников, телевизоров, магнитофонов и т. п ).

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими вы-иодами [рис 6 I, б)

ГЬ:аметры		ГТ703А	ГТ703В	гт;озп
ГЬ:аметры		ГТ703Б	ГТ703Г	гт;озп
	f/кэ = - 1 в. /к =	30 .70	30. 70	20 45
	50 мА. Оокр = 20 "С	50 100	50 100
	Оокр - 55 С	30 ..100	30.. 100	20 .70
		50 ..150	50.. 150
	В,„р -40 "С	15 ..70	15. 70	15 .45
		25 ..100	25 . 100
,>!,, КГ[1	- - 2 Е, /-0.5А	> 10	> 10	> 10
к5о.	Окь - -30 В	<0.5	<0.5	<0,5
	6Э5 = -10 В		<0.5	<0,5
Im (!к 50 мЛ)	--1 В	0,7 1 4	0,7 1.4	0 7 1,4
/2IL /к == 1-5 Л)
	/„3 А, Ibfl	-0.0	-0.6
	/к-3 А, hfi	-1,0	-1.0	-1,0

/к. а

гтюз	5. г	Z5 ЕО
		Z5 ЕО
		75 111

/к. А

-5 -15 и.В

ГТ7Ш,В
			20 15

-02 ОН ~Ofi ~0,OUfi О -5-10 -15U,B



<

-5 ЧО 150.,,д

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [ 64 ] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.001