Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [ 63 ] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

П ip IN СТрЬ]

Режим измерения

КТ644Л КТЙ44Б

Пред кэ /Jit", в

ЭБ та\ В /к mat, А /к ) w*:-в miixi Рк так, Вт Опер muAi С

(ыю допустимые экспл>аташ!Онные да1И1;>1С

окр оьр S

; 20 °С 20 °С

:2ос

20 °С : 20 "С

КТ644Н КТЬ44Г

- 60

- Ы)

КТ645А, КТ645Б

КреминеБые эпитаксияльно-планарные транзисторы п-рП. Предназначены для работы в быстродействующих импульсных устройствах, преобразователях электрических колебаний высокой частоты, генераторах, различных усилителях и стабилизаторах i[ а пряжения.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рнс. 5 3, л).

1 Id рамстры

Рсжом из реиня

КТЬ45А

KTG45b

t/KE2 В. /э = 150 мА

20 200

t/Ki5- 10 В, /э-2 мА

>80

(УкэЮ В, /к = 30 мА,

>2

>2

/ = 100 МГц

/кВО "А

i: 10

< 10

tK нас. В

/к = 150 мА, /ь 15 мА

=0,5

БЭ нас» В

/к; = 150 мА, /ь - 15 мА

<:i,2

Ск. пФ

- 10 В, f- 10 МГц

Тк, не

6КБ = 5 в. /э - Б мЛ, f = 5 МГц

<120

<120

рас.

/к = 150 мА, /н = 15 мЛ

<50

Предельно допустимые эксплуатационные данные

У КБ так< В

-45 "С Оокр < 85 "С

K3R так-

То же, прн /?БЭ - 1 кОм

(УЭБ ггшл. В

-45 C<<Wp<85°C

- 45°С<0окр 85 °С

к и г"й1г. мЛ

То же, при Т, 10 мкс, Qb

Рк mflv, Вт

-45°С<0окр<25Х

Опер тик, С

Оикр с

-45 +85

в 11!тсрза те тег/псрат) р от 25 до S5 "С мо1Ц101,ть (i) рзссчи (biadtivii ни формуле



КТ646Л, КТС4бБ

Кремниевые эпнтаксиально-плаиариые граизисторы п р п предназначены для работы в быстродействующих импульсных м 1 ропсттах переключения токов до 1,2 А {КТ646Л), геме-рппрач, различных усилителях и стабилизаторах напряжения (КТЬ4ЬБ)

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рис 5 З, к)

Режим in wepciViiR

K7G1G\

KlWOb

Г/к5 =5 В, /э = 200 мЛ

40 200

> 150

10 В, /к 30 мА,

>2

>2

; = 100 МГц

/кБО

КЬ = К.Ь max

< 10

<10

< 10

нас В

/к =500 мА, /б =50 мА

<0,85

/к =200 мА, /б = 20 мА

<0,25

l lac В

/[ = ,"»00 мЛ, /б = 50 мЛ

<],2

<1,2

Г, пФ

OVg = 10 в, /, -0 в.

< 10

< 10

Г, пФ

/ = 10 МГц

С/>Б - 0 в / - 10 МГц

Г ПГ

C-V.b - 10 в, h = 30 мА,

< 120

/ = 5 Ml ц

, 1 . нс

/ij !50 мА, /б1 = /б2 = 15 мА

<60

Преле."

ьно допустимые эксплуатационные данные

кБ г/ tM. В

- 41 "С п„,р < 85

к > « «V В

45 С р 85 Ч:

к-"!; I!a В

i о же при /1, ) - 1 кОм

>Г, В

-45Х<а. ,р<8Б"С

и mj/ , В

То же, при т,1 10 мкс, у 6

.... А

-45 "С si 6,,,р < 85 °С

То же, три т, = 10 мкс, Q б

/ Вт

-45 25 "С

„ г;.., В

4ЬЧ:-0о,р<55Ч-.,

111 - 10 мкс, Q 5

"45

+ 85

ijiii температуре й[ 2» ло МГ> °L монгпость (St) рассчитывается по формате Рк -tax





11ПП

KTS4SA

iJuU - Ж

--WO

-/э .vA 1


- z.


40 V/- -



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [ 63 ] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0013