Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [ 60 ] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

П 1]1 J leif ы

Ь Ги08Л

9оьр - 85 С

20 200

10 350

OfiKp - 45 С

7 80

Ь 160

/[ = 10 В; 1к = 0 м,

>2

f = 100 МГ[

КБО. МкЛ

Укь-бО В

<10

<10

/Aj, - 4 В

<10

<10

Ьк.= 10 в. f = 2 МГц

К 15

< 15

/Э5=0, 1 = 2 МП.

<50

<50

13 с -

/б - 15 мЛ, /к 150 мА

КЭ нас В

/к --400 мА, /ь - 80

< 1

<1

D9 Г1ЯС1 В

/к =400 мА. /б =80

<2

<2

Предельно допустимые эксплуатационные

тел.

max-

укб н тО, В и та-;, В /к -гак. мА /К и mav, мА /к /лиг. Вт к miv, Br и °г

"пор < "О "С 0,„ ,<70"С

IU р

п( р

Г( р

120 "С

70 "С.т„ 10 мкс,

ти 10 MKL, Q

70 °Г 85 "С

Ти < 20 мкс,

Оокр 25 С

0оп=85Х

Q== 10

данные

60 4

80 400 800

0 5 0,12

60 60 4 80 tO 400 800 0,5 0,12

i ! I I .1(11 р I I (jl PV г i I I ( .1 I и 1 J Д> [. м 1\ \t I П II П .IDHS 1 I им [!F М0Щ1ЕОС"

(I.[) I iip< [ 1Я( n ч i:i) ijmpMV к j\


/к, mA

m m so

mOSA,5

£

1 1

~IIfi-0,8 tOUQ и ЧОП 1Ь m 14 18 V.B



мА SO

30 20 10

SOO.

0,4 0,5 OM l/3,B

SOO 400 300

200 100

FTBD

0 Z Ч- 5 8 19 U.B

Z ¥ 5 8 U..,B


SO 40 30

1 \ tn

0 IbUB D

30 60 f, МГц

KT610A, КТ610Б

Кремниевые эпитаксиально-планарные сверхвысокочастотные усилительные транзисюры п-р-п. Предназначены для работы в усилителях напряжении и мониюсти.

Выпускаются в мсталлоьерпмическом корпусе с гибкими по-лосковыми выводами (рис. 5 3,).

Параметры

режим изл1сре[ия

KTfilOA

KT61 ОБ

(7кБ = 10 В; /э " 150 мА

50. .300

20... 300

/гр, МГц

(7кэ = 10 В; /к = 150 мА

1000

>700

/коо.

гУкБ = 2е в

<0,5

/эБО, мЛ

<0.1

<0.1

21 э так

бкэ-10 В; /к-30...270 мА

2 1э тш

кэо гр- В

Ь = 50 мА

>20

>20

Ск. пФ

г/кБ= 10 в. 10 лАГц

<4.1

<4,1

с,. пФ

эБ = 0; / = 10 МГц

<21

<21

Тк. пе-

?Укй= 10 В; /э = 30 мА; / = = 30 МГц

<55

<55



Режим нзмере!1ил

KTCIH

КТбЮБ

Предельно допустимые экплуаганионныс данные

Ь Ь пах В kjR так, В ЭЬ таг, В /к »шл. мА

талг» Вт 0j к р, С

- 45"С<во:ф < 85

То же. прн /?Бэ - 100 Ом

-45С<ео,р - 45Х<и,,р<85°С

45"С< Н

85С 85 °С 50 С

+ 85

прп увстичеяии температуры от 50 до 85С мощность снижается по линейному за-кон до I Вт

Г,. мА

М 2дО 100

KJblQAfi


J0 20


О -он 0,6-0,д [/,,0 он 0,6 0,д l/j.B о f д п 16 и.в

\Z50

101}

КТЕЮБ

и=10В

О г ¥ 6 д 10 12Uy,5 О 0,5 1 1,51/,3 0 Ш2О01М

/1ц 1

10 А

0,8 0,5 ОН ОЛ

о 100 ZOOIyM

5 10 15U,B



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [ 60 ] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.001