|
|
|
Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [ 55 ] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]   К750г, KTSS3 Рис. 5 2 Биполярные транзисторы средней мошности средней частоты КТ501А, КТ501Б. КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, KT50IE, КТ501Ж, КТ501И. KT50IK, КТ501Л, KT50IM Кремниевые эпитаксиально-планарные усилительные транзисторы р-п-р. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты с нормированным коэффициептом шума, преобразователях, дифференциальных усилителях, импульсных и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применении. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рнс. 5.2, а).
Предельно допустимые эксплуатационные данные КЬ rtuiv ° Б о(ф "и л , , мА ..... Вт
iiviinj it 11 <r- 2b iO -60"C напрпжепкя I- к )U и.а- ч fKFwji.i гнижтштся no ••\\] Il w.m iii,ii[i> ."o ! (1 В При 1 \. Pipj 1 (or 2Г> "D - GO "C и Ч npf ас-ешя f к R о • " Kh vr ch цжу ют i. я ПО Сiiwi.mm aaKOFFj до 25 В М ]i 11 iч ii< ]!t.T I, [li: (JT 2!> до - CC °C на ip ж< iiii L y. >\у f, г f , CHi :ксютсн rO Inin III,;)му o.iKdii. J!i 10 В " 11 г>[ тLTiicp.iTvpi гг 25 дп - bU С im iijii-iai ili!. -tT ,j И I t \i ii сi нкают-Я nO TiiiK i!i.;)M\ iaxoFH jii 5o В ! 1 pii TC"-i inp,iTvp(. от 2~i до - lilf С н i грп cime ( -)\- i,f r.u. i ии/К чется пс iiii[емкому ;iK(r [к ii,(r I ) 15
  1d Ту,мА КТ502Л, KTSOSIj, KTodLB, КТГ>()1М\ KT5(i2;i, KT502E Крсмииевьи Спитаке П ал ыю-нла flap ные унивс[)саль-чьк* транзисторы р-п р Прсд!;азнг]чоны для работы в юпочевых 1час1;адах усилителен низкой частоты, опсрачнониыч и дифференциальных уеиштелпх и других улпх радиоэлекгронной аппара-т>ры широкого применения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рис. 5 2, б).
[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [ 55 ] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.002 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||