Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [ 49 ] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]
при темпсрдт>р1 онрулающей среды Со.ее 25С мощность (мВт) расс.итываотся 11 д Ч О
иа:-, 0,3 т с: 0J J 1023 WImA 0.0 0,1 1 iOIM 510 30 50 ImA 5fi штк-кттг о 0.1 o,fi uhB
8 11 U,,S 1 У E1J.S 3 hVH i
КТЛ108Л, КТ3108Б, КТЗ 108В Кремниевые пллиарно-эпитаксиатьиые транзисторы р-п-р Предназначены для использования в усилителях высокой частоты и логарифмических видеоусилителях. Выпуе5<аючея в ме!аллостекляином корпусе с гибкими вы-ьпдами (рис 4 3, у)
Продслж ение
КТ3117А, КТ3117Б Кремниевые зпитаксиально-планарные траизиеторы п-р-п. Предназначены для работы в качестве переключающих эле11ентов в быстродействугап1,их оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, у).
кб так* Uy..3 max, max еэ и тах> Б Ыитах-па\, Предельно Д011ус1нмые эксплуатащюпные данные - 45"С<0,жр 85=С То же, при Яьэ = О То же, при /53 - 1 кОм 45 "С < е 85 °С То же, при Ти = 10 мкс, Q = 2 То же, при т, = 10 мкс; Q - 2 -45 "С<0,кр<85=С [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [ 49 ] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.0013 |