Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [ 43 ] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

Режим изиере[[ия

КТ315Л

КТ345Г>

к134ЙВ

Сэ, пФ

оэ =0; / - 5. 10 МГц

<г)0

<30

<30

/pit:. нс

/к = iOO мА; /б iO мА

Предельно допустимые зксп..туатациоЕ]ные данные

Vb max, R бэ max, В

-Рк ffia.t, мВт

"пер max г *- пер окр>

С/мВт

Нокр -С 85 °С

< 83 40

окр окр

-20.

-40. .+85

При ТРУrifрятра ОТ -iO т,п я5 "Г аопстчмая мпиюсть {мВ") определяется по формате


О -V -д 11 -гби,в

ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В

Германиевые эпитаксиалыю планарные СВЧ транзисторы РП-р. Прсдиачначсны для исполь.юнлиии н приемно-усили [ сльной у и пара i у ре широкого при мене нии, в 1 ом mhcic в селекторах каналов дециметрового диапазона noui.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, х). Один из выводов соединен с корпусом транзистора.

гт340а

гт340б

гт346в

бкь --10В,/э--

2 мА;

10.. 150

10...150

15 ..150

Оокр - 2о С

Оокр - Г.Г) "Г,

10 . 450

10 -450

15-450

Оокр - -45 °С

3.5 . 150

3,5 1,50

5 .1,5э

0кБ= -10В; Ь-

2мА;

>7

>5.5

f = 100 МГц

Л]б, Ом

L;kb=5B; /э=0,5

<30

<30

/ = 1 кГц


11 р iMiTpi.

Режим HaMcpcHi-fl

Г1 Л6А

ГТ346Ь

гтз 56В

/. ,о, MicA

<10

<10

< 10

окр -

< 100

< lOi)

< ою

/ ч с), ikA

i/b-. = 0.3 В

< ию

<10П

< 100

-) кэг В

/к = 10 мА, /б - 1 мА

-0,3

-0,3

1.1 I4U. В

/к - 10 мА, /ь - 1

\ пФ

Lkp. = -5В;/ = 10МГц

< 1.3

1, , пс

(7kd- -10В,/э = 2мА;

= 100 МГц

Окъ- - 10 В;/э--2 м А; = 800 МГц

<7

<8

/и, дБ

= - 10 В; = 2 мА;

> 10,5

> 10,5

> 10,5

j -800 МГц

Предельно допустимые эксплуатациопкые данные

-KR max, В

, мВт

"р nor-

0<.„n. "С

Нокр 55 °С Оокр 5о " С /-г,в 5 кОм, 9„кр <55 "С Ос.<. 55 "С

- 15

-45 . +55

1,111 / Juo НГц

гц%А-/гтв


0,8 О

ГТЗЧВА-ГШЕВ

=401

1 1 3 4 1,иА О -г -ч -В -Ь -10 -п и,,в



КТ347А., КТ317Б, КТ347В

Кремниевые ила[[арно-змитаксиалыгые СВЧ транзисторы р-п-р Предназначеи-ы для усиления и генерирования сипгалов bf-tcoKoii частоты, работы в импульсных и других устройствах радиоэлектронной annapajypbi широкою применения.

Выпускаются в mciаллостекля1гном корпусе с гибкими выводами (рис. 4 3, у).

К1 17 \

КТЗГ;Б

KT347B

ик.ь= -0,3 В; /э=10 мА,

30. .400

10. 400

50...400

Онкр = 85 °С

15 .1000

15. 1000

25. .1000

0 ООО.

0 ООО

15. .600

Ki, -ГВ, / ) = 10 мА. / = 10(1 Ml [1.

>5

>5

(Up - 25 °С

<1

<1

е„кр = 85С

< 10

< 10

< 10

(/б 1 = 4 В

<10

<10

10 кОм

= 10 мА; /ь = 1 мА

-0,3

/]1 и;, НС

/f,. = 10 мЛ; /е = 1 чА

< 25

<25

<40

С„ пФ

,,Э -0 / =.= 10 МГц

< 8

<8

<8

С„ пФ

/кь = -Г-> В, 10 МГц

<о

- Г]

П])е.1,е MHiu допустимые эксилуатац1Ю[!ные данные

Оо.г <85С. Л-ь

- 15

- 10 кОм

ЬКБО ij-, В

- 15

0,„, .85С

0,кг;85С

„ -.„г

1 ]0

1 10

1 ">[>

0р

ч:/мВт

0,5 В,Ч 01

о -0,1 -0,4 -0,6 -0,3 и,,в




[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [ 43 ] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011