Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [ 42 ] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

\си тигельных (КТ340А, КТ340Д) и переключающих (КТ340Ь, кТЗЮВ) устройствах

Выпускаются в металлостеклянном Кчрнуе с 1ибкими вы нодами (рис 4 3, р)

Режим изчеро]ця

KTJ40A К Т,НОБ

КТ1+0Т КТЗ 1С [

к 1 ilOl

/2 IE

100 150

>40

< 1

< 100

KJ к f/jj - о в, / - 10 мЛ f100 МГц

КБ КБ /ЛИЛ

L-- - 5 В

>3

< 1

<: 100

>з

< 100

/-50 мА, / - 5 мА

к о

1 -200 viA, -20 мЛ

КЭ нас

<0 3

<0 4

Г , пФ ( , пФ

1 , ПС

; =5 в, /= 10 МГц

в f- 10 МГц

и, = 5 в --5 мА f = 10 МГц

<3 7

<7

<45

<40

<3,7

<7 85

<6 <7 150

/ ИС

/ - 5 lA. /, - 1 мЛ

10 < 15

< 15

<75

I I i

I >

I -

О 85"С

с 1 р

(I К5 ( I

U . с

и S , с

V И cj ".;u fav.

20 15 20

"75"

150 130

данные

- 10 4 85

I) 1 ( к > li /к 200 мА

КГ342А, КТ342Б, KT342B, КТ342Г

Кремниевые эпитаксиально планарныс транзисторы п р п Прсднлзиачены дпя использования в радиоприемных и других pJДИc)JЛCктpoиныx устройствах широкого применения Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рнс 4 3, у)

п тмртры

Рслнм намерения

KTU2 \

ЬТ312Б

КТ32В

КТ >42Г

"2,Е

- 5 в, - 1 мА

100 25С

200 500

400 1000

50 125

Га тын1 в [1 н др



11 1 р i i [1 ы

Vi кЛ

/обо,

-ВД нас. В f-kJiJ р. В

С, пФ

РсАим измерения

(;кр

25 °С

о = 1 z.-i

fi = - no /7, = 10 в

- . / = 5 rv,A. f = 100 МГц и, = 25 В. в 20"с

кь 0[ р

и =125 с Вокр- -6п °С и,г. =5 В

КЭ = КО max, Rrj = И) кОм

/к 10 \,Д, /б = 1 мЛ

/к 10 мЛ, /б = 1 мЛ

Ц 5 ivA

Lkg -5 Б, /=10 М! а

КТ342 \

КТ312Б

KT142R

КТ342Г

> 1 0(.1

>200

> iOO

>50

>5 250

50 5u0

> 125

>2,а

>з

1000

>3

0,05

<0.05

0.05

< 10

<10

<1

<1

<1

<.зо

<30

<30

<

< 30

< 0

< 100

-0,1

<{) 1

<0,1

<0.2

-0,4

50,9

<1.1

> 25

>10

>25

<8

Предельно допустимые эксплуатационные данные

пах< мА К и max, М А

/кчйх. мВт

чер окр> "С/мВт О °г

10 кОм,

,,.р 100 °с /?ьэ < it) кОм,

о,,,. < 125 ч:

0,,,.,. 125 с

т,1 = 40 мкс, Q = 50г)

О,,. <25С

250*

+ 125

При Ivb - 2") Е = При [укб 10 в

При fc.Mi сратури л 2"! до l2Ti"C доп>1Т!1мая чош.пп, ivRr) о трсд niLin wv ]>ор

КТ343А, КТ343Б, КТ343В. КТ343Г

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы р-п-р Предназначены для использования в логических схемах, токовых ключах, входных каскадах форм!фователей импульсов, каскадах стробнрования, генераторах, усилителяч считывания и других устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, у).



Ч 1 1 м T[4i

КТ343А

1\1 14 ЗЬ

ктзпг

/ М

(7ь - -0,3 В, /з = 10 мЛ,

0,,,, - 25 - 85 "С

0,.,--40 X

>15

>25

> 15

1 h 1

(7kd = -5 в, Ь -= iO мА,

/ = ЮП Ml ц

>i

>з

Lkb - -10 в,

П. р -25 4:

-С 1

< 1

<1

< 1

- 85 X

< 10

< 10

< 10

< 10

/( ,fj. MhA.

-17 В

: 100

< 100

< 100

< 100

K-i нас

/к. = iO rA, /ь - i мА

- 0.3

- 0,3

-0.3

/к - 150 мА, /ь - 15 мА

( , , пФ

-В 10 .МГц

<б

<6

<о

<о

( , [Ф

bf5 = n, [= 10 МГц

<8

<8

/ нс

/к = 10 мА, /б = 1 мА

Предельно допустимые эксплултапипнные даниьт

П (

С/мВт

/?эб = 10 кОм Оок. С85Х. О,

ЧЖ11

85 "С 85 X. 85 X,

+ 85

1М1 I

I р / , 1 .11 • К 1 П5А, К

- -7 П

При кэ- -9 В

И.51>, К1.И5В

Кргмппепыс Л1И1.1Кси.1льпо г1ланарн>1е трапзисторы /) п р 11 ргд.1 in.peiihi д 1и иепо.п1,чованмя в радиоприемниках, (ii,u I родоиетиуюпих элсктронньгх переключателях, в импульсных 11 др\1их радиоэлектронных устройствах нтирокого применения.

Маркируются двумя цветными точками на корпусе: V I МГ)Л - белого и розового цвета, КТ345Б - белого и сине-I !< ПВС1 а

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рт 4 3, п)

1 1 1J1 1 М 1 р 1

\\/\\ М llJMLpl. ПНЯ

КТ345А

КТ345Б

КТ34-в

/7„j 1 В. / , - 100 мА

>20

>50

>70

f/i3 -5 В. /j = 10 .мА.

>3.5

>3,5

>3,5

/= 100 МГи

h i.c). мкА

t/Kb- -20 В

<л

<1

<1

/ мкА

t/B-4 В

<1

< 1

!\ 1 li 14

/к 100 мА, /б - 10 мА

-0,3

-0.3

-0,3

1 н к. В

/к = 100 мА, /ь - 10 мА

- 1,1

- 1.1

-1,1

{ , мФ

(кб -5 В. / = 5 10 МГц

< 15

<15

<15



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [ 42 ] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011