Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [ 40 ] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

ПродоАж ение

11 [l.-i lirill.l

к г i2,i Ь

* K30 гр \ ПС

/-j= 1 ma

0 - 5 b. f = 10 ллгц 0,,;J0; 10 Win

\b- B. /310 ma, / = 10 nr ц

2,:>

15 < 2,5 <2 5 125

;5l5 2.5 5: 2.5 125

Предельно дотстимые 3Kcn..iyaia:i.Huiiiii.ie данмыо

-ТБО проб к R m CI I

....... ma

/ / p

1 iiax

. ma

liep max nop OKp

C/mBt

В В, В

м А мВт

125 "С 125 X 3 кОм 125 "С 125 "С

125 ч:

85 -С

*окр = 125Х

1,50

55 -1-125

ripvi HTMiHfHHH темпера 1\ры от 8Г) до 125Г лоп)СТ11М,1Н илциосг- уменьшаемся nl [111 илпvу лакги-у

0J5 D,7U,„B




КТ326А. КТ326Б

Кремниевые эпитаксиально планарные усилительные СВЧ транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в усилителях высокой и сверхвысокой частоты аппаратуры широкого Применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, у).


ilEi

кво-

С . пФ

С, иФ

\1кА В В

е=25Х

10 мА;

GO "С 5 В;

100 МГц

С/кБ = КБ max

Оокр = 125 X

С/эб

/к =

/3=10

= 20 X

10 мА, /б = I мА /j. = 10 мА, /б = I мА

С/кБ - В: Ш МГц

0. f - 10 МГц - -5 В. /. = 10 мА. Г==5МГц

Предельно дoгIycтн\!lJIe экснл) aT.i[uioHm)ie

В В В

/лих K3R max

ЭБО "шл

/,, , мА

К ти\

К max

9 , °С

Ohp Ос

125 °С 100 кОм 125 "С

125 °С 30 X

КТ326\

к7326Б

20 . 70

45. 160

10..140

22. 320

6,..70

13.5. 160

>4

>

<0,5

<0,5

< 10

<10

<од

<ол

-0,3

-1,2

-1,2

<5

<5

<4

<4

ДЛИ[И>1С

- ]5

-f-125

При температуре от 30 до 125 °С допустимая viomiiocib (лВт) 0"р;челя1т п по формате

- {I 50 - О )/0.Ь

ГТ329А, ГТ329Б,

ГТ329В, ГТ329Г, гТЗЗОД, ГТЗЗОЖ,

ГТЗЗОИ, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В

Германиевые планарно-эпитаксиальиые транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в селекторах телевизионных каналов метрового диапазона волн, в УКВ блоках радно-веш.ательных приемников и других высокочастотных устройствах широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими доло-сковымн выводами (рис. 4.3, н, ш).



Параметр!.!

1Л21

Рслим HjMfpcma

/кБО. мкА

С„ пФ

С„ 1ф

1 , ПС /Спи дБ

--5 В;

/э =

5 чА;

= 25 "С

бокр

= 60 С

Оокр

= -60 X

= 5 В,

5 мЛ;

/ = 300 МГц

/= J00 Ml ц

КБ = 10 В; Оокр = 20 "С

Оокр = 60 X Оиэ = 0,3 В

(Упэ = 0.5 В l-ьэ = I В С/БЭ = 1,5 В

/К1. = 5 В. / .30 МГц

1. ) 0.3 В. / - 30 MTfi. С/ьэ - 0,3 в, f = 30 МГц икэ = 5 В; /ь, - 5 мА; f-30 МГц

/к 20 мА; /3 = 2 мА / = 20 мА; /1, - 2 мА

(kj = 5 В; /j = 3 мА; /400 МГц f>b-5 В. /к - 5 мА / = 400 МГц кэ = 5 В; /к = 2 мА; / = 1 Г1 и

ГТЛ2*>Л ТТ329Ь

15...300

12. .750 5 .360

ГТа29В

тттг

15 300

12 .750 5 360

> 3,3

: [ООО

15 30

<6

<5 <50

гтззод птшж

гтззои ТГ.541А

П Я 11> ГТ341Й

30. -100

15 1000 12 .600

: 3,5

<6

<5

>5

.300

. 360

>5

<50

<100

<0,3 <0,7

<8

<5 <50

<55

<2 30

:о.з

<0.7

<4,5

15. 300

12. .840 5 360

<5 <50

50 "50

<2 10

<5,5



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [ 40 ] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0015