Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [ 39 ] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

tl [ IM 1 1 И 1

1жнм HjMcpeiiHH

ГТ,Ч21 в

ГТ321Б

ГТ,321Г

-500 мА,

20 60 40 120

80 200 20 60

40 120

80 200

КБ- -ЮВ./э

-15мА.

>3

КБО "

/ = 2Г) МГц

КБ = КБО тде

<500

<500

<500

<800

<800

= 100 Ом

/j = 700 мА, /g =

-2.5

-2,5

-2,5

700 мА, 1

-1,3

-1,3

-1,3

КЭОгр В

/э„ = 700 мА,

Q>300

С,. ПФ

кь -10вл =

= 5 МГц

<80

<80

<80

С, [Ф

эБ -0,5 в,/

= 5М[ ц

<бОО

<600

<б00

\- ПС

Kb = -fOB,/ = / 1 = 15 мА

= 5 МГц.

/"р; = 700 мА, /g = = 5 10 мкс, f

= 11

= 5 кГц

K3R firtv В

КБО шах* В БЭ та.и В

и тах

Предельно допустимые эксплуатационные данные

Б и ma-l* i

К max

К и max*

тер тах

мА мВт Вт

/?ЭБ< 100 <45°С

Оокр<

450 45 X

пер окр

О °с

"ОН р.

>Х/мВт

«скр < 45 X

г, = 30 мкс. <45°С

»окр < 45 X = 30 мкс Оокр < 45 еик,><45Х

200 2

0,25

60

45

2.5

200 2

0,25

200 2

160*

0.25

При /д=140 мА для ГТ321А. ГТ12]-, = 70 мА Д1Я ГТ321Б, ГТ321Д. 7, = = 35 мД для ГТ.321В m21F

При Vg=]7: мЛ для ГТ321В, ГТ321Г, /q35 мА для ГТ321Б. ГТ321Д. =О «- для ГТ321А, ГТ321Г

Прн температуре от 43 до 60 "С доиустмая мощность (мВт) определяется по фор




/„ЭК 200

mzu,r

Ттгг

3 S,8 p I,A


пзгщ

20 30 40 509щГС


Bp !,S I,A 0 0,S lbh,A Zu JO 40 50 ЭрГС

ГТ323А, ГТ323Б, ГТ323В

Германиевые меза-планарные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в высокочастотных импульсных и 1сиераторных каскадах радиоэлектронной аппаратуры

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4 3, м)

П а р d ч п р ы

Режим измерения

ГТ323А

ГТ323Б

ГТЗ 2,3 в

/гр МГц кг.о- "к-

L/k3-5 в. /к-0,5 А, - 10 мкс. / - 1 кГц

L/j,3 = 5 В, /=1 А, = 10 мкс, f == 1 кГц и = 5 В. = 200 мА КБ = 20В 0-3 = 2 В

20 60

>15

>200 <30 < 100

40 !20

>25

>200

<30

<100

80 200

>55

>300 <30 < 100



Придилжение

1 lap

ILTpi.l

р. ИМ [ПМ(. Э1.НИЯ

гт323б

Ю Fl IL-

1 А, = ШО мА,

<2,5

<2,5

<2,5

= Ш мкс, f - 1 кГц

= 1 А, - too мА.

= Ю мкс. / - 1 кГц

<з

<3

<3

КЭО I р

/- 100 мА

> 10

> 10

;> 10

Og- 15 В, / - 5 МГц

<30

С, гтФ

1/эБ-0,25 В. МГц

< 100

< 100

< юо

Т, пс

Cg - 10 В; /э - Ю мА;

f = 10 МГц

"рас-

/=1 А. =

Предельно допустимые экспл\атациопные данные

: 60 "С

ЭБ пих

КЭХ тих

f\ max*

тал Вт

и ".Jt Bi "окр

Оокр < X /gj, = I кОм, О

Оокр < 60 X

ьэ==0,25 2 В.

Оокр < 60 X Оокр < 60 X

Окор < 50 X Оокр < 25 X т., = 0.5 мкс

20 10 2 20

0,5 0,25*

20 10 2 20

0,5 0.25 5

- 53 +60

20 10 2 20

0,25

/fi юс мА дня ПУПА, /б -50 иЛ для ГТ323Б. =25 гчА л.\л ГТ323В

При бцр > 5) Т допустимая мощность (мВт) определяе1и uj формуле /к /„ат -

При те-мпсратур!. 1.выше 25 -"С до11>стимая woiUrOLTb (мВт) определяется но форм) те

КТ325А, КТ325Б, КТ325В

Кремниевые эпитаксиально-планарные ) сил игольные СВЧ транзисторы п-р-п. Предназначены для использования в усиштслях высокой частоты радиоэлектронной аппараi>ры широкого применении.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, с).

Параметры

Режим FiJMeptHiFH

KT325A

КТ325Б

КТ320В

C/j-g-S В; 10 мА; f= 1 кГц

- 5 В; /3-10 мА; f- 100 МГц

кв = 15 В: 9,,р25Х Чб = 4 В

30.,.90 >8

<0,5 <1

70.. 210

>8

<0,5 <1

160 . 400 > 10

<0,5



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [ 39 ] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011