Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [ 37 ] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]



- .

f400S

и..,В <Ч -0,3

КТ31&А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,

КТ315Д, КТ315Е. КТ315Ж, КТ315И

Кремниевые планарно-эпитаксиальиые усилительные

транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в усилителях

высокой, низкой и промежуточной частоты радиоэлектронной

аппаратуры широкого применения

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами

(рис. 4,3, к).

Режим измерения

KT3I5A

KT3I5B

КТ315Д

КТ315Ж

раметры

К1315Б

KTaisr

K[3!&t

КТ31ЬИ"

t/кэ - 10 В;

/э = I мА; окр - 25 С

20...90

20, ..90

20 ..90

30... 250

50...350

50...350

50 ..350

е„„ = 100 С

20...250

20.. 250

20...250

30 . 250

оьр

50...700

5U...700

50...700

50.. 700

Оокр -60 X

5...90 15...350

5.. 90 15 ..350

5...90 15.350

>5 > 15

t/K3=10 В;

>2,5

/з = 5 мА;

> 1,5

/- 100 МГц

мкСм

tK3- 10 В;

<0,3

<0.3

<0,3

<0,3

/э - 5 мА

t/KB = 10 В; /к I мА

<40

<40

<40

<40

/КБО

СкБ= 10 В;

< 25 X

<1

< 1

<1

< I

0р= ЮОХ

<15

< 15

<15

<15



Предельно допустимые эксплуатационные данные

inaxi

тахч

max у

мА мВт

100 °с

Оэкр < 100 °с 0.кр<100 °с

100 "С

Эокр < 20 X ft.Kp < 20 X

Параметры

Режим измерения

КТЗ15А

kt315b

тпизг

КТ315Д

к г315ж

t3b = 5 В

<30

<30

<30

<30 <50

fКЭ riTL., В

/к = 20 мА, /ь = 2 мА

<0,4

<0.4

<1

<0,5

БЭ нас, В

/к = 20 мА; /б =2 мА

<0,9

КЭО гр, В

С„ пФ

Тк. ПС

/ = 5 мА

С/кь = 10 В tKD-IO В; /э 5 мА

>15 7

>30 >25

>30 25 7

>15

>30

Ojup fi7c;> R чр - <it\p

окр При Кэб О

При температуре от 20 то 100 "С допустимая мощность (мВт) определяется по ф;и-м>Р PKnr = (l?-flo„p;/0,G7.

0,67

0,67

0,67

0,67

-1 ЮО

1.1-


(IS S.2

и"

А/ SJ и,.,В


КТ316А, КТ316Б. KT3I6B, КТ316Г. КТ316Д

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в быстродействующих переключающих {КТ316А, КТЗШБ, КТ316В) и усилительных (КТ316Г, КТ316Л) устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-

Параметры

Режим тчерения

КТ316Л KT31iiB

КТ316В

КТ315Г KT3HjZ1

t/Kb = I в; /эЮ окр - 20 С

20...60 40.., 120

40. 120

20...100 60...300

Оокр - ЮОХ

20. 120 40...240

40 240

20. 200 60...600

0о.р = -60 X

Ю 60 20 .120

20 120

in too

30 .300

Ukb = в, /э = Ю

>6

>8

>6

>8

100 МГц

h226. мкСм

С/кБ = 10 В; /э= I

<4

<4

<4

h]\Q, Ом

Um = iO В; = 1

<40

<40

<40

Ю В; 9окр-20Х

<0,5

<0,5

<0,5

еокр = Ю0Х

<5

<5

<5

/эБО, мкА

С/эБ = 4 В

< 1

<1

< 1

няг. в

/к 10 мА; /в = I

<0,4

<0,4

<0,4

Убэ НДС, в

/( = 10 мА; /б = I

<1.1

<М

<и

кэо гр, в

/э = I мА

>5

Ск. пФ

КБ = 5 В; / = Ю

<з

<з

<з

Тк, ПС

С/кБ = 5 в, /э= 10 Ю МГц

С\, пФ

=0; =10 МГц

<:2,5

<2,5

<2,5

/] = 10 мА- /б = 1


[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [ 37 ] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011