|
|
|
Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [ 36 ] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] KT3I2A, КТ312Б, КТЗ!2В Кремниевые эпитаксиально-планарные универсальные транзисторы п-р-п. Предназначены для работы в переключателях, генераторах, радиовещательных приемниках и прнемно-\силительной аппаратуре широкого применения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, ж). П.1эамер1 1 - 1 и.рсчия КТ12А ктзиь , vIkA Vo „ас- В "кэо .p- В \ , ПС КБ = 2 в. 1 = 20 мА, 0 20 "С О""" = 85 X 0"= -40 "С 11. = 10 В; Л =5 мА; / =20 МГц t;;=4B /=20 мЛ; ij = 20 мЛ; / 7,5 мА i7 = 10 В, / = 2 МГц и. = I В. / = 2 ггц / = 2 мА / =2 мА ь f = 2 МГц 10. !00 10...200 8...100 <10 <30 < 10 <0,8 <М >20 5 500 25. ЛОО 25 .200 15 too <10 <30 < [О <0,8 <1,1 >35 <5 500 50 280 60 560 25 280 < 10 30 < 10 <0,8 <1,1 >20 < 5 500
30 20 10
18 15U„8  Ю го L\„8 0,8 и,,,В   -I-г mtzA ктт 6. В о J 6 9 11 I,f/A в Ч д 11 IS Uy,B 5 10 150..,Ь П родолжение Пораметрь Режим ИТ мерен и я КТ312Л КТ312В Предстьно допустимые эксплуачациопиые данные КБ та к L-D • В КЭ1? max r В do max L, . мА К шах /к н мА K/wav. мВт К и mBi бпер /Jitiii С /?пер скр °С/мВт" fl ° Г" 85 =С 100 Ом 9 85 X 9 <85Х О"" < 85 X о" < 20 X Т I МКС 20 20 4 30 60 225 450 150 35 35 4 30 60 225 450 150 20 20 4 30 60 225 450 150 -40 .+85 Xl"i\i температуре от 20 до Ъо С доп\ст1П1-1Я мглиоегь (mBi) опретсляотсп по формуле Д vi<.i окр ГТ313А. ГТ313Б, КГ313Б Германиевые спдавно-диффузнонные мезатранзи-сторы рПр. Предна.гначены для использования в радиоприемных и телевизионных устройствах. выпускаются в ыеталлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, и).
Пара, стры Режим измерения ГТЗПА ГТ313Б ГТ313В i мкА КЭ пас БЭ нас С . пФ С\ пФ Т , ПС е =-40°с tJ = 5 В; / =5 мА; 100 МГц Ul = -0.25 В = 15 мА. = 1,5 мА /„ = 15 мА; 1 = 1,5 мА (У = -5 В; /= 10 МГц fV =-0,25В;? = 10МГц и = -5 В; 7 = 5 мА; / = 5 МГц / = 5 мА; f= 180 МГц 15.250 3 -.10 <5 <50 -0,7 -0,6 <2,5 <14 75 Предельно допустимые и и и КБО тих Э Б Л1 ал К /пах пер окр =С/мВт е , "С мА мВт Оокр 55 С е,,р<55=С ;?ЭБ = 300 Ом /?ЭБ = 2 кОм Оокр < 55 "С Эокр-20 X Оокр =55° С эксплуатационные - 15 -0,2 -12 - 15 30 100 50 0,9 15. .250 4,5...10 <5 <50 -0,7 -0,6 <2.5 <И 40 <7 данные - 15 -0.2 - 12 - 15 30 100 50 0,9 -20...+55 <5 <5й -0,7 -0,6 <2.5 <18 75 -0.2 - 12 -15 30 100 50 0,9 в Hiirtpnjii.- 1 <Miiep,-5Tvi) От лЧ1 ло 5Г» С доп>1,тнмая мощность снижается по .чиненному   [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [ 36 ] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.0011 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||