Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [ 35 ] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

Параметры

Режим измерения

ГТ309А

ГТ309В ТТШГ

ГТ309Д ТТ505Г

Предельно допустимые эксплуатациоиные данные

JKSR max

КВ max /,, , мА

Л"". мВт о , =С

R = 10 кОм

е < 55 °с е" < 55

о"""- < 20 С

-10 -10 10 50 70

-10 -10

40 +55

10 10 10

50 70

Прн температуре от 20 лп 55Г, тначсьие допЧ.Тг.мои мои.чостн vueni-maCTCS на 5 мВт иа камчдые 10 "С

ГТЗЮА. ГТЗЮБ.

ГТ310В, ГТ310Г, ГТЗЮД, ГТ310Е

Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы р Пр с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты малогабаритной радиоэлектронной аппаратуры.

Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4 3, е).

Параметры

Режим пвмсрепия

ГТ31С1А

гтзюв

гтзюд

ГТЙ101

V = - 5 В; / - 1 мА; / 50 ..1000 Ги, е - 25°С 9 55 X

20,..70

20...70

20.. 70

60 ..180 20 ..140

60 . 180 20.. 140

60. 130 20.. 140

60 ..360

60 ..360

60...360

=-200

10.70

16 . 70

16 70

30.180

30 . 180

30 . 180

и -5 В; / = 5 мА; / "20 МГц

>8

>6

>4

Л,,, Ом

iL. = -5 В, / = 1 мА; / = 50-100 Гц

<38

<38

<36

fioQ- мкСм

-5 В; / = 1 мА, / - 50 ГООО [ ц

<з

<3

<3

и-: -5 В; 9 <20=С

<5 < 120

<5 < 120

5 120

С. пФ

-5 В; f = 5 МГц; = 5 мА

<4

\. ПС

и = -5 В; /3 = 5 мА; f-5 МГц

<300

<300

<5О0

= -5 В: / = 1 мА; f = 1.6 \rlx

<4

<4



11аоаметры

ре»ьим iiJMepeiHH

гт310а

гтзюв

гтзшд

Гпюн

Предельно допустимые эксплуатационные данные

k3R max,

1 .В

кб п-ах.

К max 11 fp max Rnep-okp,

"С/мВт U , "С

<iKp

м A мВт

= 10 kOm R = 200 kOm 0 < 55 °C

0 < 55 X O" < 35 X

-40 . + 55

Tlfn Ttiwnepa rvpc от 35 до й> С lo i\сгим ая мошиссть (мВт) определяется по фпрм>.е Р = 0,.5 (75-Й ).

ГТ31 IH, ГТ31 1Ж, гтзии

Германиевые планариые транзисторы п-р-п Пред-илначены для испо.-1ьзоБамия в радиовещательных приемниках, ирисмно-усилителыюй и другой аппаратуре широкого приме-ием ин.

Выиускаююя в mgiаллостекляином корпусе с гибкими вы-иодами (рис 4 3, и).

11 1мм[ I р1,


i /ME i

I li I.,I

/кьо, мкЛ »ьо, мкА ) нас, В нас, В к ю гр, в , . пФ

,. пФ

I ис

9 = 25 °С

а"" = 55 °с

окп

9 = -40 °С / = 100 МГц

и и

КЬ КЬ шах

= 15 мА; 1 = /,, = 15 мА. /,

fv ь

= 10 мА

15 мА:

5 мА,

= 1.5 мА -1,5

J 5 в. f = 10 МГц

f; 0,25 В; 10 .Virn

<Б-5В; /, = 5мА; / = 5 МГц

/j = 20 мЛ. /52 мА; т = 0.2 мкс,

и= -4 В, в схеме ОЭ

Г тл 1г

!ТП 1Ж

гт31 П

15...80

50...200

100 . 300

15 ..150

50 .350

100 . 500

10 ..80

25...200

50 . 300

>2,5

>з

>4,5

<10

< 10

< 10

<15

< 15

< 15

<0,3

<0.3

<0.3

<0,6

<0.6

<0,6

>8

>8

>8

<2,5

<2.5

<2,5

<5



II Jl J 1 1Ы

режим H.)Mt( ения

ГТЗ111

I Т31 1Ж

КБ -пах

, ыА

К тол

Р„ , мВт

пер Wfijc окр

OJ < 45 "с

rII= по kQm, о <

< 45 °С

о < 55 °с

о < 25 "с

ГТЗПИ

Предельно допустимые эксплуатационные т,с1ииые

12 12

50 50

150 150 70 70

-40 +55

10 1.5 10

50 150 70

в дцапаэон1 т-мгкрат я> от 45 до 60 т проиичишт снижение О (б та* и кЭ! гал на I В НД кaжд:Je 5 < а U - h,i 02 В ii.i к irhjiiiie " L

При телшерат V ре or 25 до 60 "С допустим ия » ti (mHti ппрс [одястея по формуле

Р, = - 100 (О - /50

o,3sy

0,1




гОТ.мА -so ¥0 ЕО О 20 ЧОдщй



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [ 35 ] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011