Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [ 34 ] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]


13 DJ

i2j£(8=m)

to

=18 1Ш

/ л 0

Ш8ЕА,

-40 8 40 80 8o;0

ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В

Германиевые сплавно-днффузионныс транзисторы р-п-р. Предназначены для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний высокой частоты и для работы в импульсных устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рнс. 4.3, г).

ridpaMeipbi

Режи>и измерения

ГТ308А

ГТ308Б

ГТ308В

20 75

50 120

80 200

20 200

50 360

80 СОО

<2

<2

<2

<5

<5

<5

<90

<90

<00

<50

<50

<50

< ЮОО

< ЮОО

< 1000

>4,5

>6

>6

-1,5

-1,2

- 1.2

- 0,5

- 0,5

-0.5

<8

<8

<8

<25

<25

<25

<1

<1

< I

<8

/ мкА

С, пФ С„ пФ

А,„ дБ

-бос<о

- 1 В, = И) мЛ, 50 Ги, 0. , 25 Ч:

-- 70 X -60 "С

< 25"С,

% = 70°С. 6

-10В

[ 20 МГц

5 В.

5 мА

= 50 мА, /g =

3 мА

Ю мА; = I мА

[5 МГц /-5 МГц 5 мА;

-5 В,

ЭБ= В,

f = 5 МГц

= 50 мА; = - 5 мкс; f - 1

КБ= -5 В; /э f 1,6 МГц

4 мА; . 10 кГц

= 5 мА;



Парам* три

Режим и IMCpC ИНН

ГТЮ8 \

I Т308Б

Предельно допустимые эксплуатационные ла[1Н1,р

ЧЭК таг

K,w.,:i..- мВт

I ер окр

I ер

X/mBV

Оокр < "С

т,. = ! мкс

45 °С 1 кОм; О,

окр<45Х

2мЛ. е,,р<45°С

*>.:р<45Х

Оо.р < 45 X. т„ = 55 мкс; 0„ ,

»окр<-<

Тц = 5 Mhc

45 °С

ГT.50R

- 20

- 15

- 12

- 20

0.25

0,25

0,25

55 + 60

При тe rupjTypo сп1„шс 45 "С 40iiyL гимля vio.;uit!CTi, (мВт огределяется по фрм>.[1;

К та t

\ CP

мА 1,2

30 20

иВП -12 -10 -8 -6 -г о

ГГЗОВБ

ЧВ JO 20 fO

г ГШ Б

0 -B,1-0,1-0,3 U„3 0

-Ч -B ~1l ,3,5



ГТ309А, ГТ309Б,

ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д. ГТ309Е

1"ерманиевыс диффузном но-сплавиые транзисторы р-Пр. Предназначены для работы в усилительных и генераторных миннатюрньк радиоэлектронных устройствах

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, д).

Параметры

1 1 h II Ч IH М t pi 1

1 р]

i Т.ЗОЗЛ

I гзоов

[ 1 309Д

i" rJ(J<Jb

rT3L-ir

[ Т>*Г

и=-ь в,

0„ф = 20 X

20 .70

20 70

20 70

60. 180

60 .180

60 180

0 = 55 X

20 140

20. 140

20 140

60 380

60 380

60 зно

« =-40С (Ji.p

16 .70

6 .70

16 . 70

30. .180

30 .180

30 . 180

L/ =-5 В; 0=55.

0 < 20 X

<5 < 120

<5 < 120

<5 < 120

"-.,.1

/ =20 МГц

>6

> 2

ho-2Q, мкСм

f = оО..ЛООО Га

<5

< 5

/г,,, Ом

f;3 = 3 в,

[ = 50.,. 1000 Гц

<38

<38

<38

С . пФ

/=5 МГц

<Ш

<10

< 10

Т , 110

1000

1000

/V , д11 III

(.=-5 В, / МГц

МУ\,

<6

<6

щ,8 0,4 -о,г

Ч5й-ч

mm- т--

О и 5,8 -д Ч-

60 28

гтзшл

20 W ffo,p/C 107



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [ 34 ] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0012