Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [ 32 ] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]


3 Ш.

Шка эииттсра




гтзгз

ФЧ-Л

0/.S


" ГТЗ/Г, ГТУ13


Тишзивштера., л гтШ, гтзи


\bkiSal

АГЛ7

о О О О

3 КТ350А

и- К КГ352

КТЗГ07

ЛТЗйЗбМ




MT3f6, ктзчо

t=3 I-.-.1

:= 1 -

KT3Z5



1= 1, . :

о Г =

. «-. i

a

КТ355Л

KT3Z6, KT3H2,KT343, КТЗЧ9,

ПТ363, ктзю1,ктзи?, ктзт,ктт?А

Корпцс


Корпус


r73Wi, KT3f27A, КТЗША


Корпус

f2.7

/СТ358

Ш ! u



К73Ш


KT371A, i<TJ1Z0A




"1

кгзив


к 7372

Рис, 4 3. Биполярные транзисторы малой мощности высокой н сверхвысокой HacTOibi

KT30U KT30IA, КТ301Б, KTSOiB.

КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж

кремниевые диффузионные универсальные транзисторы п-р-п. Предназначены для усиления и генерирования колебаний в каскадах радиоэлектронной аппаратуры.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами {рис. 4.3, а).

Режим Ii !мере1ия

KT301

К1301Б

КТ301Г

КТ301Ь

KT301A

KT30IB

КТЗй1Л

КТ301Ж

20 00

10 32

10 32

40 . 120

0 120

20 60

20 60

80 300

> 180

>)6

>96

>360

>360

>180

> 180

>900

>7

>4

>14

> 14

>7

>7

>20

> I

> 1

>1.5

;1.5

<10

<10

< Ю

< 10

< 100

< 100

< 100

< 100

<10

< 10

< 10

< 10

<10

< 10

< 10

<10

<3

<3

<3

<3

<3

<3

<з

<3

<2.5

<2.5

<2,5

<10

<10

<10

<10

<80

<80

<80

<80

<2

<4.5

<2

<2

2! ,

t/Ki, = 10 В; =3 мА; /

I hi и. о =20 "С

НГ. с.

МГц мкЛ

м К А мкСм

КЭ нас

ЬЭ нас

с , пФ с, пФ

Т , НС

I

о -53 X

/ = 3 мА; [ = 20 МГц 10 В; / = ЗмА

0 == 20 с о" = 85 "С

окр

9 = -55 °С Св=ЗВ

и, = 10 В; /э = 3 мА; f l кГц

/, = 10 мЛ; = I мА,

К ь

[ = 50 Гц

= 10 мЛ; = 1 мА; [=50Гц

КБШВ; f= 1 МГц /эБ-=0.5 В; f = 2 МГц f; = I0 В; /э = 2 мА;

! МГц



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [ 32 ] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.001