Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [ 31 ] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

i) "С

пер "lai

е с

продолжение - 60. .+ 123

Пр i П кОм

Пр]( 7 im пор utj ро от 2Г> до -60 ""С иаг[р51ЖС11ие с и пh,iLTiL я по iumi по i\ j иош Д.!

- 10 в

Пря т1vnop ;it\ ро от 2i fio - 6(1 С няпряжгцир онк -нас ten tm щи. i 1пм\ а,.он v

При гсч!перот \ ре от Jo чо - 60 С iidnpnhieiine сип * аг-тся го i чк ни п jkuh . дэ 40 В

[Ipn т!.МГер:!т\ рС от 2" то ~ 60 Г нл-тряжрнис chi-* - стя [10 лит; 1 i о-г. ofij si

-Г)3 в

При позышс-мни темперлт\ри ст 60 до 125 "С msf-cича-ьнэа momnocib i-H[i.:i\di;T..H по лплсйпомч з.ИчОИ.. дп 55 vBr.


-0,4 -0,6 -0,д Us,,B



о -10 -го SO -40 и,в


о -10 -10 -JQ -WZ/3,6

-10 -го -30 и.в



КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д.

КТ209Н, КТ209Ж. КТ209И, КТ209К. КТ209Л, КТ209М

Кремниевые эиитаксиально-иланарные транзисторы р п-р Предназначены для работы в усилительных и импульсных МНКромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.

Выпускаются в двух вариантах пластмассового корпуса с гибкими выводами (рис. 4.2, б).

Пар,тмс-ри

а, г, Ж, Л

Б, д, И, м

20,.,60

40..Л20

.240

80... 160

20 120

40 . 240

80 320

10 60

20.. !20

40. 160

-0,4

-0.4

-0,4

-1.5

-1,5

-1,5

>5

>ь

>5

<50

<50

<50

< !00

< 100

< 100

кэ IMC

бэ IMC

В;/j = 30mA;

0а„р==-45Х / = 300 мА;

/ = J00 мА; 1 = L/,-10 В.

30 мА 30 мА 10 мА

/ = 500 МГц С, пФ L/ =~0,5 В;

/ - 500 МГц

Предельно допустимые эксплуатационные данные

I l.lp,lMv [ ры

КТ20!)

л и. в

г. л г

ж и. к

л, \

-60*

-GO*

- 10

- 20

- 20

200*

20 О

125 -45.,. + 100

кб так кэн max ЭЪ max

К тих.

и max

С тих р

к тах

пер тоV

О °Г "окр-

м А мА м А

К., = 25 . 100 X Тоже, прн /?5э = ЮкОм 9 =25.Л00Х -45С<9„„„< 100 °С

max

-45°С<0„„ < 100 -45°C<0„„<35 "С

-45 С напря;г;с1ис скижаетсл го линейному 15°С напряжение скнжастсл го линейному

При пониженнг 1 cviKpdTvpbi от 25 до

ЗЕКоку ло - Iо В Пр» понижении температуры от 25 до

3tiK0ny ло -25 В

* При понижении температуры от 25 до -45 "С напряжение снижается го линейному закону ло -40 В

При понижении температуры от 2"i до - 45 *С (IaпpяжИ!lo сннжпгтся го лнппЬюму JLiicony ло 55 в

При Еюниженнн температуры от 25 до -45°С папряжеинс снижается по линейному такону до -15 В

Прн TCMneDaTj-pe более 35 "С vomcocTb (мВт) рассчитывается но формле =

1/0,43

1 Галкнн В И II л.р




о -10 -го 3Q -Wff3,5 Q -т -zd -jo д-ДУ -0,6 -0,8Us,3


и -10 2D -so -wu,e


4.3. Биполярные транзисторы малой мощности высоной частоты

Назначение выводов, внешний вид и основные размеры корпусов биполярных транзисторов малой мощности высокой частоты приведены на рис 4 J






[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [ 31 ] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0012