Главная  Полупроводниковые диоды 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [ 30 ] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]


кт;т A

KTidIR

KT2m в

КТ[)1

КТ2и1Л

Лреде.1ьио допустимые эксплуатаииопные даниьк-

I Ь та i I Id тй* . В

.тих- /к пах мА . мВ

ih 1

123 -С

12г> <;

125 (,

о..... 123 I 20 10 10

20 10 10

20 20 20

100 100 100

1аО 150 150

fiO 60 6(1

150 !50 150 - 55 + 55

IJ,.-;i I et. Т1, 11 f-I i.M м s p ТТ f I 1 LiJ Mj С лог .тют -.[Г! ЦП , ь t и ira . о Ui

I) °r

тик

Г1 0

о,, ,.уох

неи[1Ум> эпкону до 60 мВт


0. Ofilfes


IsSA КТ2ШВ

0,4 0,2 О


0,4 QfiUfi £}2 /7,5 £Бз,Я


40 30 ZO

ктгош

-0,4

Z ¥ Б иВ

40 30 29 W

\=OflBMA

г 4 6 и,в



КГ203А, КТ203Б, КТ203В

Кремниевые эпитаксиально-иланариые транзисчоры р-п-р Предназначены для использования а чсилитсльных и имг1\льсных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широ-ко"0 применения.

Выпускаются в металлостоклянном ко1Г]\сс е гиикимн вы-зотами (рис, 4.2, а).

211:

С . пФ

Pi/; liVl It iMCpCbIiq

КТ203

f-кь - - 5 В, / 1 мЛ,

= 25 ч:

= 12". с

О -()(

- KG -

/ - / 11 =

hi. i\h W.J жп

Оо.р - 125 X

ЭЬ ~ -ЭБ max

}=20 мА; / = 4 мА

0 = -5 В; / = 10 Ml ц

,i()0

30 150 30 230 10 ШО

<300

< 15

< I

Предельно допустимые jklii ту rcnitiomiijie juHiiii.ic

КЬ т

fTfp мВт

О,,, = 125

0125Х е,,<125-С

fo.pf25C to.p < 75 X

()0 -30 -60 -30 30 10 50 150 150

- Ю -15 -30 -15 15 10 50 150 150 -60, . + 125

30 200

30 400 15 200

< 1

<15

< 1 <0,5

< 10

-15 -10 -15 -10 10 10 50 150 150

При увеличении температуры от 75 ло 125 "С iKin6oiiluree нопрЯ/Кemit: и мощ40егь инАйются по л[нcйнnмv такон>

0,1 0,1

мА В

~Q,b -su..s О -S -10 -/5" -го -г Uy.,B




1 -

-

t- .....- 1 - --

1-"

o -j- y,3,s 0 ~5 -Ю 45 40 45 ,B

KT208A, КТ208Б, KT208B,

КТ208Г, КТ208Д, KT208E, КТ208Ж.

КТ208И. KT208K, КТ208Л, KT208M

Кремниевые зпитаксиально-планарные транзисторы р-п-р. Предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.2, б).

KTOfiA,

КТ208Б

Kl20Sb

Пирометры

КТ208Г КТ205*,

КТ2(18Д К1208И,

KT2CISF KT20SK

КТ208Л

К- г

= - В: /к

30 мА;

<>к[1 икр Vp

20 . 60

40 120

80 210

12:> с

20. 120

40 240

80 4Ьа

= -ЬО "С

10 .60

20 .120

40 . 240

/кьо

~ КБ max

<1

< 1

< 1

->Б0 "

= - 20 В

<1

< 1

< 1

300 мА,

= 60 мА

<о,з

<о,з

<о,з

300 мА;

= 60 мА

<Г5

<1,5

<].5

С, пФ

= --В,

= 10 мА

>5

>5

>5

= -10R,f =

= 500 МГц

<50

<50

<50

:, пФ

= -0.5В,/ =

500 кГц

< 100

< 100

< 100

Прсдспыю допустимые эксплуатационные данные

*КЬ ..ах 1эи шах «окр = "25 С, В"

КТ208А. KT208D. КТ208В .... КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е

КТ208Ж, КТ208И, КТ208К , . . . КТ208Л, КТ208М . .

дЬ шах

при 0,!, = 25. .125 "С, В

/к max при < д,. Оокр < 125 °С, мА / /

к и ...л "РИ т,. 0,5 мс, Q > 2, е, <: 120 =С, мД ...ах 0,< 125=С. мА ....

.тах РЬ -60 X

t),P<60X, мВт

-15 -30 -45

- 60"

- 10

. 300 500 . 100 200



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [ 30 ] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94]

0.0011