|
|
|
Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [ 21 ] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] Mai.cnMa.iLiro лопуг-тпмяя мпщноть
Четвертый и пятый элоренты - двухзначное число, определяющее порядковый номер разработки техноло!нчсского типа транзистора. Шестой элемент, обозначаемый буквами от А до Я (за исключением букв 3, О, Ч, сходных по начертанию с цифрами), отражает деление в технологическом типе на параметрические группы. Условные графические обозпачеияя биполярных транзисторов приведены на рис 3.1   Рис. 3 I. Условные графические обозначения биполярных транзисторов: а - транлистор типа р ч р б - транзистор т ипа п р-п\ в - лавишгыи тран-dHCj-uy niiid п р п, г - однопереходный трай.чистор с н-Оазой, Э - одпопорчод-нын транзистор с р ба-ой, транлнстор типа р-п-р с лаумл базовыми вы- водами, ж. - транзистор типа p-n-i-p, и - транаи(,тор iinid р п i р z выводом UI /-uG.iacTH Система обозначений современных транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.038-77 и состоит нз семи элементов. Первый и второй - такие же, как v транзисторов, приведенных в ГОСТ 10862-72. третий - цифра, определяюи1ая основное назначение и качественные свойства транзистора (см таблицу).
Четвертый, пятмй и гиестой элемента - трекначное чис.ю I 101 ло 999, обозначающее порядковый номер разработки Седьмой элемент - параметрическая группа в технологи-1 ".ком тичс тра)1зкстора - обозначается буквами от Д до Я ( .а исключением букв 3, О, Ч). 3.2. Электрические параметры биполярных транзисторов Электрические параметры биполярных, иднопери-чодных и двухэмиттерных транзисторов, используемые в настоя тем справочнике, приведены в табл. 3.1-3 2. .11. Биполярные транзисторы Термины Буквснкыг обозначения Обратный ток коллек- "иратиын ток эмнт- I и) - эмиттер I Ч)41тный ток базы II 111[П1жене иасьнце-1И1Н коллектор - эмит- " О 11 шря/Кёине иасыще-IIII I f"i.M;i эмиттер КЭ нас С". нас Ток через кол.пекториып переход при заданипм обратном напряжении коллектор - база н разомкнутом выводе эмиттера Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер - база и разомкнутом выводе ки.ыекшра Ток в цепи кол-текюр - эмиттер при заданном обратном напряжении KojuiCKtop - эмиттер Ток в цепи базового выиода при 1аданпом обратном напряжении коллектор - эмиттер и заданном обратном напряжении эми-пер - база Напряжение мжду выводами коллектора и эмиттера в режиме наеы-щенин при заданных токах базы и коллектора Напряжение между выводами базы и эмипера в режиме насыщения при заданных токах базы н коллек--тора Тгрмици Входное сопротивление биполярного трап sHCTopd rt режн-е мл лого сигна.-а Ко -*ффнцчент обра i -ноГ( связи по напряжению биполярного транигторл в режиме малого снгннла Коэффициент Г1ереда-чн тока биполярного TpaiFjHCTOpa в режиме МЛЛОГО СНГЧПЛЯ Мо,пул1. коэффиииен-та передачи тока биполярного транэксто-ра на оысокой частоте Выходная полная проводимость биполярного транзисгора в режиме малого сигнала прн холостом ходе Входное сопротивтеине биполярного транзистора в счеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Входная полная проводимость бннШ1ирно-го транзистора в режиме малого сигнала Полная проводимость обратной передачи биполярного транзисто ра в ржиме малого сигнала Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого снгпнл;! к венные оЁозняченнн Oil) eac.tciiiiii Othoujoiih(- HsvtOHCFiHH напряжения Fia входе к ны}ва[1шсму его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по nepeMeiiiFOMv току на ВЬХОДС TpOHJHCTopd Отнопгенне изменения (гапря-кенин на входе к вызвавшему его нчмене НН10 Ектпряження на выходе в режиме холостого хода во входной iCHH по переменному току OTHOHJCHFHe изменения выходного тока к ныизавп1сму его изменению BXOUIOIO loiwi п (Нжиме короткого 3JMiiH.,iiiii!i HitixouiOH пени но нерс-мениомV юху \oдvлl> ко"-*ффн1а1ент<з передач! тока в схеме с (i6fhhm змиттгр()М в режиме малого сигнала на высокой частоте Отношение изменения выходном TOKJ к пы шагшему его измснс-ию выходного напряжения в режн\1е холостого хода вчодеюи и ел и па переменному току Отношение напряжения на входе транзистора к входному току прн заданном пос i ояином нзнряжснкги коллектор - эмиттер в схеме с общим эмиттером OI ношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы прн заданных носгояшюм обру г-ном напряжении коллектор - эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером Отношение изменение комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения нн входе прн коротком замыкании по переменному току на выходе Отношение нзмененнй комплекснь1х величин входного тока к вызвавше му его изменению напряжения на выходе прн коротком замыкании по пергмеиному току на входе Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его имеиеиик] напряжения на вход прн корогком замыкании по переменному току на выходе [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [ 21 ] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.0012 |