|
|
|
Главная Полупроводниковые диоды [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [ 20 ] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] >N 2 )7li 2\:>07Г 2У207Д 2i207F. 2 У 208 A КУ208А 2У208Б КУ208Ь 2У208В КУ208В 2У208Г КУ208Г КУ21IА КУ2ПБ КУ21 IB КУ211Г КУ211Д КУ2ПЕ [\У2ИЖ КУ2ПИ
2У*Р). КУШ, 2i/rM, bnpabvcuipu злектрад  
Катод
  ZUW7  AhoS 3/ shwpa   ZJin Kjno   Puc. 2 2. Триннсторы малой мощности 2У2ШЛ Г, куоел г   •-- 3D &1- 2Угоз Аноде) \Эле/(трг1д 48  ЗЛЕКТШ Рис. 2 3 Трннисторы средне[( мощности 64 3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 3.1. Система обозначений биполярных транзисторов Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г., к шссифицировались по мощности (малой - Р 0,25 Вт и большой - Р :> 0,25 Вт) и по частоте (низкой ~ / 5МГц и высо-*,ои - / > 5 МГц). Условные обозначения плоскостных тран-iiKTopoB по ГОСТ 5461-59 состоят из двух или трех элементов, Первый - буквы П или МП. Буква М обозначает, что гер-"кчнзация корпуса транзистора осуществлена методом холодной сварки, меньше влияющей на структуру и свойства полупроводниковых переходов транзистора. По параметрам эти ранзисторы соответствуют таким же транзисторам без буквы М и обозначении. Второй элемент - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал: М.1Л о мощные низкоча-t I<ниыо. 1 t[)MJlllI[.l!l3H. I 10U кремниевые 101. .200 vniiiHhie низкочастотные, I< рманпепые 201 300 KpeMHtfeRbfo 301 .400 Маломощные выеоь.оча-стотные: 1ерманиевые 401. .500 кремниевые 501 600 мощные высокочастотные германиевые 601 .700 крем1!иевые 701 -800 Третий элемент - буква, обозначающая разновидность I рибора или модернизацию. В 1964 г ГОСТ 10862-64 была установлена новая система чо(пначений полупроводниковых приборов В нее в 1972 г. ! u( сены уточнения В соответствии с этими стандартами си--юма обочначений биполярных транзисторов включает гпесть > 1ементов. Первый -буквы Г, К, А нли цифры 1, 2, 3, обозначающие 1к чодный материал - соответственно германий, кремний или 10сдинения галлия (цифры используются для маркировки приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специ-.1,ibHOro назначения). Второй элемент обозначения - буква Т. Третий - цифра, указывающая на основное назначение и 1 .1чсственные свойства транзистора (см. таблицу). I i Mill в П 11 д[1 [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [ 20 ] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] 0.0011 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||